講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-02-23 12:25
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発 ○前橋兼三・大堀貴大・永曽悟史・井上恒一・松本和彦(阪大) ED2009-211 SDM2009-208 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-211 SDM2009-208 |
抄録 |
(和) |
トップゲートを有するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNT-FET)を用いて不揮発性メモリデバイスを作製した。単層カーボンナノチューブチャネル付近に存在する水分子を取り除いた後、SiNx、SiO2の絶縁保護膜を蒸着することによって、デバイスのヒステリシス特性を制御した。作製したCNT-FETメモリデバイスは、チャネルへの電界の集中により比較的低電圧で書き込み/消去ができ、良好な保持時間特性を示した。さらに、単正孔の絶縁層への注入、除去の現象を観察することができた。 |
(英) |
We have fabricated nonvolatile memory based on top-gated carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs). Two kinds of insulating films of SiNx and SiO2 were deposited to control the hysteresis characteristics after removal of water molecules around SWNT channels. The interface between SiNx and SiO2 films is expected as a charge storage node of nonvolatile memory. The fabricated CNTFET-based memory devices clearly exhibited not only memory effect but also good retention characteristics for charge storage. Furthermore, single-hole charging and discharging phenomena were clearly observed in CNTFET-based memory devices by reducing the number of carries trapped in the interface between SiNx and SiO2. These results indicate that the CNTFET-based nonvolatile memory is one of candidates for fabrication of single-electron memory. |
キーワード |
(和) |
カーボンナノチューブ / 電界効果トランジスタ / 不揮発性メモリ / 単正孔トラップ / / / / |
(英) |
Carbon nanotubes / Field-effect transistors / Nonvolatile memory / Single-hole trap / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-211, pp. 87-91, 2010年2月. |
資料番号 |
ED2009-211 |
発行日 |
2010-02-15 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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