お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-02-23 12:25
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発
前橋兼三大堀貴大永曽悟史井上恒一松本和彦阪大ED2009-211 SDM2009-208 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-211 SDM2009-208
抄録 (和) トップゲートを有するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNT-FET)を用いて不揮発性メモリデバイスを作製した。単層カーボンナノチューブチャネル付近に存在する水分子を取り除いた後、SiNx、SiO2の絶縁保護膜を蒸着することによって、デバイスのヒステリシス特性を制御した。作製したCNT-FETメモリデバイスは、チャネルへの電界の集中により比較的低電圧で書き込み/消去ができ、良好な保持時間特性を示した。さらに、単正孔の絶縁層への注入、除去の現象を観察することができた。 
(英) We have fabricated nonvolatile memory based on top-gated carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs). Two kinds of insulating films of SiNx and SiO2 were deposited to control the hysteresis characteristics after removal of water molecules around SWNT channels. The interface between SiNx and SiO2 films is expected as a charge storage node of nonvolatile memory. The fabricated CNTFET-based memory devices clearly exhibited not only memory effect but also good retention characteristics for charge storage. Furthermore, single-hole charging and discharging phenomena were clearly observed in CNTFET-based memory devices by reducing the number of carries trapped in the interface between SiNx and SiO2. These results indicate that the CNTFET-based nonvolatile memory is one of candidates for fabrication of single-electron memory.
キーワード (和) カーボンナノチューブ / 電界効果トランジスタ / 不揮発性メモリ / 単正孔トラップ / / / /  
(英) Carbon nanotubes / Field-effect transistors / Nonvolatile memory / Single-hole trap / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-211, pp. 87-91, 2010年2月.
資料番号 ED2009-211 
発行日 2010-02-15 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-211 SDM2009-208 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-211 SDM2009-208

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2010-02-22 - 2010-02-23 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawaken-Seinen-Kaikan 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional Nano Device and Related Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Nonvolatile memory based on carbon nanotube field-effect transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) カーボンナノチューブ / Carbon nanotubes  
キーワード(2)(和/英) 電界効果トランジスタ / Field-effect transistors  
キーワード(3)(和/英) 不揮発性メモリ / Nonvolatile memory  
キーワード(4)(和/英) 単正孔トラップ / Single-hole trap  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前橋 兼三 / Kenzo Maehashi / マエハシ ケンゾウ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大堀 貴大 / Takahiro Ohori / オオホリ タカヒロ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 永曽 悟史 / Satoshi Nagaso / ナガソ サトシ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 恒一 / Koichi Inoue / イノウエ コウイチ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 和彦 / Kazuhiko Matsumoto / マツモト カズヒコ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2010-02-23 12:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2009-211,IEICE-SDM2009-208 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.422(ED), no.423(SDM) 
ページ範囲 pp.87-91 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2010-02-15,IEICE-SDM-2010-02-15 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会