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講演抄録/キーワード
講演名 2010-02-22 15:15
SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
岡田竜弥琉球大)・東 清一郎牧原克典広重康夫宮崎誠一広島大ED2009-201 SDM2009-198 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-201 SDM2009-198
抄録 (和) プラズマCVDにより成膜したSiOx膜(1.0 < x < 1.9)に熱プラズマジェット(TPJ)を照射しミリ秒熱処理を行なった.室温でのフォトルミネッセンス(PL)測定により発光強度の顕著な増大が見られ,x = 1.7において最も強い発光を観測した.~950 nmのPL発光により~5 nm程度のSiナノ結晶が形成されたことが示唆される.またp-Si(100)基板上にSiO2/SiOx/SiO2/Si(100)積層構造を真空一貫形成後にTPJ照射し電気特性の評価を行なった.熱処理後に容量-電圧(CV)特性に6.8 Vの明瞭なヒステリシスが観測されたことからSiナノ結晶もしくはSiナノ結晶/SiO2界面が電子もしくは正孔の保持ノードとして機能しており,SiO2/SiOx/SiO2積層構造をTPJ熱処理することで,低耐熱性基板上への不揮発性メモリ実現が期待できることが分かった. 
(英) We investigated formation of Si nanocrystals in SiOx (1.0 < x < 1.9) films induced by millisecond annealing using thermal plasma jet (TPJ). After TPJ annealing, photoluminescence (PL) at room temperature was remarkably increased, and the maximum intensity was observed from x = 1.7 sample. The PL peak at ~950 nm is suggested ~5 nm sized Si nanocrystals. Then Si nanocrystal floating gate MOS capacitors were formed on p-Si (100) wafers by TPJ annealing of SiO2/SiOx/SiO2/Si(100) stacked structure. The MOS capacitors showed clear hysteresis of 6.8 V in capacitance-voltage (CV) characteristics after TPJ annealing. Si nanocrystals and/or the Si nanocrystal/SiO2 interfaces work as the charging nodes for electrons and holes. TPJ annealing of SiO2/SiOx/SiO2 stack has a potential to realize non-volatile TFT memories on low heat resistant substrates.
キーワード (和) Siナノ結晶 / 不揮発性メモリ / 熱プラズマジェット / 急速熱処理 / / / /  
(英) Si Nanocrystal / Non-volatile Memory / Thermal Plasma Jet / Rapid Thermal Annealing / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 423, SDM2009-198, pp. 29-33, 2010年2月.
資料番号 SDM2009-198 
発行日 2010-02-15 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2009-201 SDM2009-198 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-201 SDM2009-198

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2010-02-22 - 2010-02-23 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawaken-Seinen-Kaikan 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional Nano Device and Related Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Formation of Si Nanocrystals in SiOx Films Induced by Thermal Plasma Jet Millisecond Annealing and Its Application to Floating Gate Memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Siナノ結晶 / Si Nanocrystal  
キーワード(2)(和/英) 不揮発性メモリ / Non-volatile Memory  
キーワード(3)(和/英) 熱プラズマジェット / Thermal Plasma Jet  
キーワード(4)(和/英) 急速熱処理 / Rapid Thermal Annealing  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 竜弥 / Tatsuya Okada / オカダ タツヤ
第1著者 所属(和/英) 琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. of the Ryukyus)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ
第2著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 広重 康夫 / Yasuo Hiroshige / ヒロシゲ ヤスオ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ
第5著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
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講演者
発表日時 2010-02-22 15:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2009-201,IEICE-SDM2009-198 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.422(ED), no.423(SDM) 
ページ範囲 pp.29-33 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2010-02-15,IEICE-SDM-2010-02-15 


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