電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-02-19 15:45
錫(Sn)めっきコネクタの接触面に大気中高温下で成長する酸化皮膜の物理的特徴とその接触抵抗への影響
鍋田佑也澤田 滋齋藤 寧三重大)・清水 敦服部康弘オートネットワーク技研)・玉井輝雄三重大R2009-57 EMD2009-124 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2009-124
抄録 (和) コネクタ等の接触部に用いられる錫めっき表面は錫の酸化皮膜で常に覆われ、大気中の気体を遮断し、耐食性を持たせる特徴がある。しかし、この酸化皮膜が接触部に介在すると接触抵抗を高め、接触信頼性を害することになる。特に低接触力の接触部では重要となる。この酸化皮膜の成長則については既に明らかにした。すなわち、室温度では14nmの厚さで飽和することが明らかとなった。今回は120℃や150℃の高温放置で生じる錫酸化皮膜の成分(組成)、その成長則、接触抵抗への影響をこの温度以下の低温で放置した場合と比較検討した結果を報告する。 
(英) Tin plated surface used for contact surface such as connectors is usually covered with the oxide vfilm in the atmosphere. As the surface covered with the film, surfcae corrosion is prevented from gas in the atmosphere, the surface has corrosion resistance characteristic. However, the oxide film is interposed between contact interfaces, contact resistance increase extremely in low contact load. therefore, the problem of contact reliability is exist. In previous study, the growth law of tin oxide film was already clarified. namely, the oxide film thickness saturated about 10nm at room temperature. At elevated temperature (80-120 centigrade degree), thr growth law indicated same tendency as at low temperature. In this study, growth law at the temperature of 150 degree was studied, and it was found that the growth law was different from that of low temperature. The cause is found in change of optical constants of the surface. This should be dependence of formation of the film. The film formation is amorphous SnO at temperature between romm temperature to 80 degree. However, at 120 degree, the formation changed to crystallized SnO2. Moreover, for 150 degree, the crystallization is much more remarkable.
キーワード (和) 錫めっき / 酸化皮膜 / 接触機構デバイス / コネクタ / 接触抵抗 / EPMA / エリプスメトリ /  
(英) plated tin / tin oxide film / electromechanical devices / contact resistance / electorical contatcts / EPMA / ellipsometry /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 420, EMD2009-124, pp. 43-48, 2010年2月.
資料番号 EMD2009-124 
発行日 2010-02-12 (R, EMD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2009-57 EMD2009-124 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2009-124

研究会情報
研究会 EMD R  
開催期間 2010-02-19 - 2010-02-19 
開催地(和) パナソニック「松心会館」 
開催地(英)  
テーマ(和) 機構デバイスの信頼性、信頼性一般(共催:継電器・コンタクトテクノロジー研究会、IEEE CPMT JAPAN) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMD 
会議コード 2010-02-EMD-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 錫(Sn)めっきコネクタの接触面に大気中高温下で成長する酸化皮膜の物理的特徴とその接触抵抗への影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Physical characteristics of oxide film grown on tin plated contact surface of connectors under high temperatures in the air and its effect on contact resistance 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 錫めっき / plated tin  
キーワード(2)(和/英) 酸化皮膜 / tin oxide film  
キーワード(3)(和/英) 接触機構デバイス / electromechanical devices  
キーワード(4)(和/英) コネクタ / contact resistance  
キーワード(5)(和/英) 接触抵抗 / electorical contatcts  
キーワード(6)(和/英) EPMA / EPMA  
キーワード(7)(和/英) エリプスメトリ / ellipsometry  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鍋田 佑也 / Yuya Nabeta / ナベタ ユウヤ
第1著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤田 滋 / Shigeru Sawada / サワダ シゲル
第2著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 寧 / Yasushi Saitoh / サイトウ ヤスシ
第3著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 敦 / Atsushi Shimizu / シミズ アツシ
第4著者 所属(和/英) オートネットワーク技術研究所 (略称: オートネットワーク技研)
AutoNetworks Technologies, Ltd. (略称: AutoNet Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 康弘 / Yasuhiro Hattori / ハットリ ヤスヒロ
第5著者 所属(和/英) オートネットワーク技術研究所 (略称: オートネットワーク技研)
AutoNetworks Technologies, Ltd. (略称: AutoNet Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 玉井 輝雄 / Terutaka Tamai / タマイ テルタカ
第6著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2010-02-19 15:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 EMD 
資料番号 IEICE-R2009-57,IEICE-EMD2009-124 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.419(R), no.420(EMD) 
ページ範囲 pp.43-48 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-R-2010-02-12,IEICE-EMD-2010-02-12 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会