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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-05 10:50 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線 ○林 喜宏・田上政由・古武直也・井上尚也・中沢絵美子・有田幸司（NECエレクトロニクス）  SDM2009-183 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-183 |
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| 抄録 | （和） | 28ｎｍ世代以降の最先端ＬＳＩや車載用途などの高い信頼性が必要とされるＬＳＩに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたＣｕダマシン配線に対して、Cu表面のみを極薄コバルト合金膜で選択的に被覆するCoWBメタルキャップ配線構造を開発した。この技術により、従来課題であった多孔質絶縁膜の絶縁信頼性を劣化させることなく、銅配線の信頼性を飛躍的に向上（従来技術比１０倍）させた高信頼・低電力Ｃｕ配線を実現できることを確認した。 |
| （英） | A new low-power copper (Cu) interconnect structure is developed with selective-metal (CoWB) cap, which selectively covers surface of Cu buried in a special hydrophobic porous low-k film with isolated pores, so called as a molecular-pore-stack (MPS)-SiOCH film. The new technology is essential to develop highly-reliable, leading-edge 28/20nm-node LSI devices especially for automobile applications. The interconnect reliability dramatically increased by ten times as compared with the conventional interconnects, while keeping the dielectric reliability high. | |
| キーワード | （和） | Cu / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 412, SDM2009-183, pp. 7-11, 2010年2月. | |
| 資料番号 | SDM2009-183 | |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-183 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-183 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-02-05 - 2010-02-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術<応用物理学会シリコンテクノロジー分科会と共催> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly-Reliable Cu Interconnect covered with CoWB Metal-cap in a Waterproof Molecular-Pore-Stack (MPS)-SiOCH film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 喜宏 / Yoshihiro Hayashi / ハヤシ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 LSI基礎開発研究所 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田上 政由 / Masayoshi Tagami / タガミ マサヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 LSI基礎開発研究所 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古武 直也 / Naoya Furutake / フルタケ ナオヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 LSI基礎開発研究所 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 尚也 / Naoya Inoue / イノウエ ナオヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 LSI基礎開発研究所 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中沢 絵美子 / Emiko Nakazawa / ナカザワ エミコ |
| 第5著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 プロセス技術部 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 幸司 / Kouji Arita / アリタ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスアメリカ IBM Alliance Project (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-05 10:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-183 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.412 |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) |
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