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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-05 14:30 Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 ○大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西 隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武 浩（ルネサステクノロジ）  SDM2009-188 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-188 |
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| 抄録 | （和） | プロセスの微細化が進むにしたがって、配線抵抗がデバイスの性能に与える影響は大きくなる．我々は、低抵抗かつ高信頼なCu配線を形成することを目的として、Ti系合金による薄膜自己形成バリアプロセスを45nmノードのデュアルダマシンCu配線に初めて適用し、電気特性と信頼性(SIV,TDDB)を評価した．断面TEM、EDX分析により、Cuと絶縁膜界面に厚さ約2nmの薄膜バリアが形成されていることを確認した．従来のTa/TaNバリアを用いた場合と比べて比べて、Ti系合金による自己形成バリアでは、細幅配線抵抗とビア抵抗がそれぞれ2/3、1/3と大幅に低減することができる． SIV耐性も著しく向上する．このように、Ti系合金による自己形成バリア技術は、次世代Cu配線形成技術として有望な技術である． |
| （英） | With continuous shrinkage of advanced ULSIs, the impact of line resistance on the devices has become more and more serious. In order to achieve low resistance and high reliability of Cu interconnects, we applied a thin Ti-based self-formed barrier layer using Cu-Ti alloy seed to 45nm-node dual-damascene interconnects and evaluated its performance. The microstructure analysis by transmission electron microscope and energy dispersive X-ray fluorescence spectrometer has revealed that 2nm-thick Ti-based barrier layer is self-formed at the interface between Cu and low-k dielectrics. The line resistance and via resistance decrease significantly, compared with those of conventional Ta/TaN barrier system. The stress induced voiding performance is also drastically improved using self-formed barrier process. These results suggest Ti-based self-formed barrier process is one of the most promising candidates for advanced Cu interconnects. | |
| キーワード | （和） | Cu配線 / CuTi / 自己形成バリア / / / / / |
| （英） | Cu line / CuTi / self-formed barrier / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 412, SDM2009-188, pp. 37-41, 2010年2月. | |
| 資料番号 | SDM2009-188 | |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-188 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-188 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-02-05 - 2010-02-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術<応用物理学会シリコンテクノロジー分科会と共催> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance of Cu Dual-Damascene Interconnects Using a Thin Ti-Based Self-Formed Barrier Layer for 28-nm Node and Beyond |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu line |
| キーワード(2)（和/英） | CuTi / CuTi |
| キーワード(3)（和/英） | 自己形成バリア / self-formed barrier |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大森 和幸 / K. Ohmori / |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 健壹 / K. Mori / |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 和義 / K. Maekawa / |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小濱 和之 / Kazuyuki Kohama / |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 和博 / Kazuhiro Ito / |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大西 隆 / T. Ohnishi / |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社神戸製鋼所 (略称： 神戸製鋼所) KOBE STEEL, LTD (略称： KOBE STEEL) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水野 雅夫 / M. Mizuno / |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社神戸製鋼所 (略称： 神戸製鋼所) KOBE STEEL, LTD (略称： KOBE STEEL) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 孝祐 / K. Asai / |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 正紀 / M. Murakami / |
| 第9著者 所属（和/英） | 学校法人 立命館 (略称： 学校法人立命館) The Ritsumeikan Trust (略称： Ritsumeikan Trust) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮武 浩 / Hiroshi Miyatake / |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-05 14:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-188 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.412 |
| ページ範囲 | pp.37-41 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) |
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