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講演抄録/キーワード
講演名 2010-01-29 08:30
光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発
藤岡裕己東京電機大)・山本直克赤羽浩一川西哲也NICT)・高井裕司東京電機大PN2009-50 OPE2009-188 LQE2009-170 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-188 LQE2009-170
抄録 (和) レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。 
(英) A control technique of optical-wave conditions is one of the important issues for developing novel photonic devices. Difficult fabrication techniques with a high-aspect ratio are required to achieve a controlling the optical-wave conditions in the conventional photonic devices, since the conventional photonic devices are constructed with thick-cladding layers for a confinement of the optical waves. Therefore, we propose a half-cladding semiconductor light source as a novel photonic device structure. By using the half-cladding semiconductor structure, it is expected that the optical-wave conditions in the device can be effectively controlled with surface micro structures. In this paper, we report here the fabrication techniques and device characteristics of the half-cladding semiconductor light source.
キーワード (和) 半導体レーザ / 光波制御 / 異方性エッチング / 選択酸化 / 半導体ハーフクラッド構造 / / /  
(英) Semiconductor laser diode / Control of optical-wave / Anisotropic chemical etching / Selective oxidation / Half-cladding semiconductor structure / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 402, OPE2009-188, pp. 81-84, 2010年1月.
資料番号 OPE2009-188 
発行日 2010-01-21 (PN, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 OPE EMT LQE PN IEE-EMT  
開催期間 2010-01-28 - 2010-01-29 
開催地(和) 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 
開催地(英)  
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2010-01-OPE-EMT-LQE-PN 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Half-cladding semiconductor light source for control of optical-wave 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / Semiconductor laser diode  
キーワード(2)(和/英) 光波制御 / Control of optical-wave  
キーワード(3)(和/英) 異方性エッチング / Anisotropic chemical etching  
キーワード(4)(和/英) 選択酸化 / Selective oxidation  
キーワード(5)(和/英) 半導体ハーフクラッド構造 / Half-cladding semiconductor structure  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤岡 裕己 / Hiroki Fujioka / フジオカ ヒロキ
第1著者 所属(和/英) 東京電機大学 (略称: 東京電機大)
Tokyo Denki University (略称: Tokyo Denki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ
第3著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川西 哲也 / Tetsuya Kawanishi / カワニシ テツヤ
第4著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高井 裕司 / Hiroshi Takai / タカイ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 東京電機大学 (略称: 東京電機大)
Tokyo Denki University (略称: Tokyo Denki Univ.)
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講演者
発表日時 2010-01-29 08:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 OPE 
資料番号 IEICE-PN2009-50,IEICE-OPE2009-188,IEICE-LQE2009-170 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.401(PN), no.402(OPE), no.403(LQE) 
ページ範囲 pp.81-84 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-PN-2010-01-21,IEICE-OPE-2010-01-21,IEICE-LQE-2010-01-21 


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