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講演抄録/キーワード
講演名 2010-01-28 16:25
100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送
藤澤 剛荒井昌和藤原直樹小林 亘田所貴志都築 健赤毛勇一伊賀龍三山中孝之狩野文良NTTPN2009-45 OPE2009-183 LQE2009-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-183 LQE2009-165
抄録 (和) 中、長距離用の100 Gbit/sイーサネットに対応可能な、1.3 m帯の電界吸収型変調器集積レーザを開発した。1.3 m帯での大きな消光比を確保するために、従来のInGaAsP系材料では無く、伝導帯バンドオフセットの大きなInGaAlAs系の材料を用い、また、引張歪の量子井戸を採用している。レーザと変調器部はバットジョイント構造を用いて結合し、それぞれの層構造の最適化を独立に行うことができるようにしている。作製した素子を実装したモジュールの小信号3 dB帯域は33 GHzであり、それを用いて、40℃において伝送速度25 Gbit/s、シングルモードファイバ上での10、40 km伝送を達成したのでここで報告する。 
(英) We have developed 1.3-um electroabsorption modulator integrated with DFB laser for middle- and long-distance 100 Gbit/s Ethernet. To ensure enough extinction ratio at 1.3-um band, tensile strained quantum well absorbing layer made with InGaAlAs-based material which has larger conduction band offset compared with that of InGaAsP. Butt-joint technique is employed to couple EA modulator and DFB laser in order to optimize the structure separately. Fabricated device is packaged to a butterfly module and the small-signal 3 dB bandwdth is 33 GHz. By using the module, we demonstrate 10- and 40-km transmission on single mode fiber at the modulation speed of 25 Gbit/s at 40 degrees Celcius.
キーワード (和) 100ギガビットイーサネット / 電界吸収型光変調器 / 歪量子井戸 / / / / /  
(英) 100 Gbit/s Ethernet / electroabsorption modulator / strained quantum well / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 403, LQE2009-165, pp. 57-60, 2010年1月.
資料番号 LQE2009-165 
発行日 2010-01-21 (PN, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 OPE EMT LQE PN IEE-EMT  
開催期間 2010-01-28 - 2010-01-29 
開催地(和) 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 
開催地(英)  
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2010-01-OPE-EMT-LQE-PN-EMT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 40-km SMF transmission for 100-Gbit/s Ethernet system based on 25-Gbit/s 1.3-um electroabsorption modulator integrated with DFB laser 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 100ギガビットイーサネット / 100 Gbit/s Ethernet  
キーワード(2)(和/英) 電界吸収型光変調器 / electroabsorption modulator  
キーワード(3)(和/英) 歪量子井戸 / strained quantum well  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤澤 剛 / Takeshi Fujisawa / フジサワ タケシ
第1著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 昌和 / Masakazu Arai / アライ マサカズ
第2著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 直樹 / Naoki Fujiwara / フジワラ ナオキ
第3著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 亘 / Wataru Kobayashi / コバヤシ ワタル
第4著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 田所 貴志 / Takashi Tadokoro / タドコロ タカシ
第5著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 都築 健 / Ken Tsuzuki / ツヅキ ケン
第6著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤毛 勇一 / Yuichi Akage / アカゲ ユウイチ
第7著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊賀 龍三 / Ryuzo Iga / イガ リュウゾウ
第8著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 孝之 / Takayuki Yamanaka / ヤマナカ タカユキ
第9著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 狩野 文良 / Fumiyoshi Kano / カノウ フミヨシ
第10著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTTPH Lab.)
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講演者
発表日時 2010-01-28 16:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-PN2009-45,IEICE-OPE2009-183,IEICE-LQE2009-165 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.401(PN), no.402(OPE), no.403(LQE) 
ページ範囲 pp.57-60 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-PN-2010-01-21,IEICE-OPE-2010-01-21,IEICE-LQE-2010-01-21 


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