講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-01-28 16:25
100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 ○藤澤 剛・荒井昌和・藤原直樹・小林 亘・田所貴志・都築 健・赤毛勇一・伊賀龍三・山中孝之・狩野文良(NTT) PN2009-45 OPE2009-183 LQE2009-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-183 LQE2009-165 |
抄録 |
(和) |
中、長距離用の100 Gbit/sイーサネットに対応可能な、1.3 m帯の電界吸収型変調器集積レーザを開発した。1.3 m帯での大きな消光比を確保するために、従来のInGaAsP系材料では無く、伝導帯バンドオフセットの大きなInGaAlAs系の材料を用い、また、引張歪の量子井戸を採用している。レーザと変調器部はバットジョイント構造を用いて結合し、それぞれの層構造の最適化を独立に行うことができるようにしている。作製した素子を実装したモジュールの小信号3 dB帯域は33 GHzであり、それを用いて、40℃において伝送速度25 Gbit/s、シングルモードファイバ上での10、40 km伝送を達成したのでここで報告する。 |
(英) |
We have developed 1.3-um electroabsorption modulator integrated with DFB laser for middle- and long-distance 100 Gbit/s Ethernet. To ensure enough extinction ratio at 1.3-um band, tensile strained quantum well absorbing layer made with InGaAlAs-based material which has larger conduction band offset compared with that of InGaAsP. Butt-joint technique is employed to couple EA modulator and DFB laser in order to optimize the structure separately. Fabricated device is packaged to a butterfly module and the small-signal 3 dB bandwdth is 33 GHz. By using the module, we demonstrate 10- and 40-km transmission on single mode fiber at the modulation speed of 25 Gbit/s at 40 degrees Celcius. |
キーワード |
(和) |
100ギガビットイーサネット / 電界吸収型光変調器 / 歪量子井戸 / / / / / |
(英) |
100 Gbit/s Ethernet / electroabsorption modulator / strained quantum well / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 403, LQE2009-165, pp. 57-60, 2010年1月. |
資料番号 |
LQE2009-165 |
発行日 |
2010-01-21 (PN, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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