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講演抄録/キーワード
講演名 2010-01-28 17:40
波長1μm帯高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化
中村拓也首都大東京)・赤羽浩一山本直克川西哲也NICT)・菅原宏治首都大東京PN2009-48 OPE2009-186 LQE2009-168 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-186 LQE2009-168
抄録 (和) 波長1um帯量子ドットレーザを試作・評価したので報告する。 高速MBE成長を用いて、高密度InGaAs量子ドットを形成し、1um帯のEL, PL室温発光を観測した。この量子ドットを用いたリッジ型レーザを作製し、閾値電流25.9mAにおいて、室温レーザ発振 (発振波長1053nm) を観測した。 
(英) We fabricated and demonstrated semiconductor quantum dots laser operating at 1um waveband. Utilizing high rate MBE growth, high density InGaAs quantum dots were prepared, which showed room temperature EL and PL at 1um waveband. Ridge type semiconductor laser involving high rate grown quantum dots showed a laser emission of 1053nm at room temprature, whose threshold current was as low as 25.9mA.
キーワード (和) InGaAs / 量子ドット / 高速成長 / 半導体レーザ / 波長1um帯 / / /  
(英) InGaAs / Quantum dot / High growth rate / Semiconductor laser / 1um Waveband / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 402, OPE2009-186, pp. 71-74, 2010年1月.
資料番号 OPE2009-186 
発行日 2010-01-21 (PN, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 OPE EMT LQE PN IEE-EMT  
開催期間 2010-01-28 - 2010-01-29 
開催地(和) 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 
開催地(英)  
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2010-01-OPE-EMT-LQE-PN-EMT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 波長1μm帯高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of 1μm waveband high growth rate quantum dots laser for low threshold current 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InGaAs / InGaAs  
キーワード(2)(和/英) 量子ドット / Quantum dot  
キーワード(3)(和/英) 高速成長 / High growth rate  
キーワード(4)(和/英) 半導体レーザ / Semiconductor laser  
キーワード(5)(和/英) 波長1um帯 / 1um Waveband  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 拓也 / Takuya Nakamura / ナカムラ タクヤ
第1著者 所属(和/英) 首都大学東京 (略称: 首都大東京)
Tokyo Metropolitan University (略称: Tokyo Metro Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ
第2著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ
第3著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川西 哲也 / Tetsuya Kawanishi / カワニシ テツヤ
第4著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅原 宏治 / Hiroharu Sugawara / スガワラ ヒロハル
第5著者 所属(和/英) 首都大学東京 (略称: 首都大東京)
Tokyo Metropolitan University (略称: Tokyo Metro Univ.)
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講演者
発表日時 2010-01-28 17:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 OPE 
資料番号 IEICE-PN2009-48,IEICE-OPE2009-186,IEICE-LQE2009-168 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.401(PN), no.402(OPE), no.403(LQE) 
ページ範囲 pp.71-74 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-PN-2010-01-21,IEICE-OPE-2010-01-21,IEICE-LQE-2010-01-21 


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