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講演抄録/キーワード
講演名 2010-01-28 14:20
InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価
山口朋彦五十嵐航平福田武司本多善太郎鎌田憲彦埼玉大エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2009-55
抄録 (和) 非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起フォトルミネセンス法を用いて,障壁層と井戸層の両方にSi をドープしたMOCVD成長In0.16Ga0.84N/In0.02Ga0.98N量子井戸試料を評価した.PLスペクトルおよび積分PL強度の温度依存性では,Siドープ濃度の増加によってスペクトル半値幅が減少し,高温域での規格化PL強度が増大したことを確認した.更に,バンドギャップより低いエネルギーを持つBGE光の照射強度およびエネルギー依存性を調べ,BGEエネルギーが1.27~1.95eVでの規格化PL強度低下の緩和が見られた.これは禁制帯内に存在する非発光再結合準位密度が低減したためである.これらの結果から,障壁層や井戸層での結晶性の改善,非発光再結合率の低減による量子井戸へのキャリア注入と発光再結合率の向上が示された. 
(英) We investigated below-gap levels in MOCVD-grown Si-doped In0.16Ga0.84N/In0.02Ga0.98N Quantum well (QW) structures by an optical method of Two-wavelength Excited Photoluminescence, as the non-destructive, non-contacting spectroscopy without electrode. Though the dependence of intensity and energy (1.27~1.95eV) of the below-gap excitation on the photoluminescence intensity change, we found that Si-doping in both barrier and well layers reduced the density of below-gap states in the QW region.
キーワード (和) InGaN / Siドープ / 量子井戸構造 / 非発光再結合準位 / 2波長励起フォトルミネッセンス法 / / /  
(英) InGaN / Si-doping / Quantum well structure / Non-radiative recombination center / Two-wavelength excited photoluminescence / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 404, EID2009-55, pp. 33-36, 2010年1月.
資料番号  
発行日 2010-01-21 (EID) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2009-55

研究会情報
研究会 ITE-IDY EID IEIJ-SSL IEE-EDD  
開催期間 2010-01-28 - 2010-01-29 
開催地(和) 九州大学(筑紫地区) 
開催地(英) Kyusyu Univ. (Chikushi Campus) 
テーマ(和) 発光型/非発光型ディスプレイ 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEIJ-SSL 
会議コード 2010-01-IDY-EID-OMD-EDD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of Nonradiative Recombination Centers in InGaN Quantum Wells by Two-Wavelength Excited Photoluminescence 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InGaN / InGaN  
キーワード(2)(和/英) Siドープ / Si-doping  
キーワード(3)(和/英) 量子井戸構造 / Quantum well structure  
キーワード(4)(和/英) 非発光再結合準位 / Non-radiative recombination center  
キーワード(5)(和/英) 2波長励起フォトルミネッセンス法 / Two-wavelength excited photoluminescence  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 朋彦 / Tomohiko Yamaguchi / ヤマグチ トモヒコ
第1著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 五十嵐 航平 / Kouhei Igarashi / イガラシ コウヘイ
第2著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 武司 / Takeshi Fukuda / フクダ タケシ
第3著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 本多 善太郎 / Zentaro Honda / ホンダ ゼンタロウ
第4著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌田 憲彦 / Norihiko Kamata / カマタ ノリヒコ
第5著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ.)
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講演者
発表日時 2010-01-28 14:20:00 
発表時間
申込先研究会 IEIJ-SSL 
資料番号 IEICE-EID2009-55 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.404 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2010-01-21 


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