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講演抄録/キーワード
講演名 2010-01-28 14:25
スパッタリング法によるSi添加AlN: Eu薄膜EL素子の作製
稲田育弘三浦 登松本皓永中野鐐太郎明大EID2009-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2009-56
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文献情報 信学技報, vol. 109, no. 404, EID2009-56, pp. 37-40, 2010年1月.
資料番号 EID2009-56 
発行日 2010-01-21 (EID) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 ITE-IDY EID IEIJ-SSL IEE-EDD  
開催期間 2010-01-28 - 2010-01-29 
開催地(和) 九州大学(筑紫地区) 
開催地(英) Kyusyu Univ. (Chikushi Campus) 
テーマ(和) 発光型/非発光型ディスプレイ 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EID 
会議コード 2010-01-IDY-EID-OMD-EDD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) スパッタリング法によるSi添加AlN: Eu薄膜EL素子の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Si-doped AlN:Eu Thin-Film EL Devices Prepared by Sputtering Method 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲田 育弘 / Ikuhiro Inada / イナダ イクヒロ
第1著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 登 / Noboru Miura / ミウラ ノボル
第2著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 皓永 / Hironaga Matsumoto / マツモト ヒロナガ
第3著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 鐐太郎 / Ryotaro Nakano / ナカノ リョウタロウ
第4著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
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講演者
発表日時 2010-01-28 14:25:00 
発表時間 10 
申込先研究会 EID 
資料番号 IEICE-EID2009-56 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.404 
ページ範囲 pp.37-40 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2010-01-21 


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