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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-15 11:20 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ ○半谷政毅・垂井幸宣・加茂宣卓・檜枝護重（三菱電機）  ED2009-194 MW2009-177 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-194 MW2009-177 |
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| 抄録 | （和） | X帯において50%の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した．本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構成を元にしており，これに広帯域化変成回路を備えたものである．本構成によれば，Series/Shunt-Shunt併用形スイッチの高耐電力・低損失性を維持しつつ，受信時の広帯域化を図ることが可能になる．提案する回路の有効性を検証するために，X帯T/RスイッチをGaN HEMTを用いて試作した．その結果，X帯比帯域50%において，送信時耐電力20W以上で挿入損失1.2dB以下，受信時挿入損失1.8dB以下の良好な特性が実現できた． |
| （英） | An X-band high-power T/R switch with bandwidth extension circuit has been developed. The proposed circuit is based on series/shunt-shunt configuration, and realizes broadband performance at Rx-mode while keeping high-power handling capability and low insertion loss. To verify this methodology, we have fabricated an T/R switch using GaN HEMT. The switch circuit has achieved the power handling capability of 20W, the insertion loss of 1.2dB at Tx-mode, and the insertion loss of 1.7dB at Rx-mode in the 50% bandwidth of X-band. | |
| キーワード | （和） | T/Rスイッチ / 高耐電力 / 広帯域化 / GaN HEMT / / / / |
| （英） | T/R switch / High-power / Bandwidth extension / GaN HEMT / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 361, MW2009-177, pp. 111-115, 2010年1月. | |
| 資料番号 | MW2009-177 | |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-194 MW2009-177 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-194 MW2009-177 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2010-01-13 - 2010-01-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2010-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An X-band GaN HEMT T/R Switch with 50% Bandwidth |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | T/Rスイッチ / T/R switch |
| キーワード(2)（和/英） | 高耐電力 / High-power |
| キーワード(3)（和/英） | 広帯域化 / Bandwidth extension |
| キーワード(4)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 半谷 政毅 / Masatake Hangai / ハンガイ マサタケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 垂井 幸宣 / Yukinobu Tarui / タルイ ユキノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka Kamo / カモ ヨシタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 檜枝 護重 / Morishige Hieda / ヒエダ モリシゲ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-15 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2009-194, MW2009-177 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.360(ED), no.361(MW) |
| ページ範囲 | pp.111-115 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) |
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