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講演抄録/キーワード
講演名 2010-01-15 09:30
75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
中舍安宏川野陽一鈴木俊秀富士通)・多木俊裕富士通研)・高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-190 MW2009-173
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文献情報 信学技報, vol. 109, no. 360, ED2009-190, pp. 87-92, 2010年1月.
資料番号 ED2009-190 
発行日 2010-01-06 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED MW  
開催期間 2010-01-13 - 2010-01-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス/一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-01-ED-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 20-Gb/s Pulse Generator with 4.9-ps FWHM using 75-nm InP HEMTs 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第1著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川野 陽一 / Yoichi Kawano / カワノ ヨウイチ
第2著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 俊秀 / Toshihide Suzuki / スズキ トシヒデ
第3著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / オオキ トシヒロ
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第5著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ
第6著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第7著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
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講演者
発表日時 2010-01-15 09:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2009-190,IEICE-MW2009-173 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.360(ED), no.361(MW) 
ページ範囲 pp.87-92 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2010-01-06,IEICE-MW-2010-01-06 


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