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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-14 10:00 Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大）  ED2009-181 MW2009-164 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-181 MW2009-164 |
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| 抄録 | （和） | 2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用いたMOSFETが一つの候補として考えられる。今回、駆動能力向上のためInP/InGaAsコンポジットチャネルを有するMOSFETに対して高誘電率ゲート絶縁膜としてALD法を用いてAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜を導入した結果に関して報告する。ドレイン電圧1 Vにおける伝達コンダクタンスは最大150 mS/mmが得られており、SiO<sub>2</sub>をゲート絶縁膜とした場合と比較して駆動能力は若干向上することが分かった。また、デバイス完成後にN<sub>2</sub>雰囲気中で350°Cのアニールを行うことにより伝達コンダクタンスは270 mS/mmまで向上し、サブスレッショルドスロープも731 mV/decから179 mV/decまで改善されることが明らかとなった。 |
| （英） | III-V semiconductor device technology will potentially be combined with the LSI technology to realize circuits with capabilities that are greater than those of current CMOS circuits. In this report, we have demonstrated undoped InP 5 nm/InGaAs 12 nm composite channel III-V MOSFET with Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> gate dielectric. The maximum transconductance (gm) at Vd = 1 V was 150 mS/mm it was higher than the gm of MOSFET with SiO2 gate dielectric. Moreover, gm was improved to 270 mS/mm and subthreshold swing was decreased to 179 mV/dec from 731 mV/dec using the rapid thermal annealing at 350°C in N<sub>2</sub> ambient. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / III-V族化合物半導体 / high-k絶縁膜 / 高移動度チャネル / / / / |
| （英） | MOSFET / III-V compound semiconductor / high-k dielectric / high mobility channel / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 360, ED2009-181, pp. 39-42, 2010年1月. | |
| 資料番号 | ED2009-181 | |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-181 MW2009-164 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-181 MW2009-164 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2010-01-13 - 2010-01-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InP/InGaAs composite channel MOSFET with Al2O3 gate dielectric |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V compound semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | high-k絶縁膜 / high-k dielectric |
| キーワード(4)（和/英） | 高移動度チャネル / high mobility channel |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金澤 徹 / Toru Kanazawa / カナザワ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若林 和也 / Kazuya Wakabayashi / ワカバヤシ カズヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 尚史 / Hisashi Saito / サイトウ ヒサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺尾 良輔 / Ryosuke Terao / テラオ リョウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田島 智宣 / Tomonori Tajima / タジマ トモノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 俊介 / Shunsuke Ikeda / イケダ シュンスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-14 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-181, MW2009-164 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.360(ED), no.361(MW) |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) |
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