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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-14 14:05 HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 ○林 慶寿・岸本 茂・水谷 孝（名大）  ED2009-186 MW2009-169 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-186 MW2009-169 |
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| 抄録 | （和） | 時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGaN界面のトラップがデバイス特性に与える影響について考察を行い、実験結果の説明を行った。実験では、ゲートに正のバイアスストレスを印加するとしきい値電圧が正の方向にシフトし、そのシフト量は、バイアスストレス印加後の待機時間が長くなると小さくなる傾向がみられた。この振る舞いを解析的に考察し、EC – ET = 0.4、0.765、1.65 eVの3つのトラップをHfO2/AlGaN界面に導入して、これを基にシミュレーションを行うことで実験結果を説明することができた。すなわち各測定時のgm-VGS特性におけるgm低下の原因は浅いトラップ(EC – ET = 0.4 eV程度)であること、また、深いトラップ(EC – ET = 0.765、1.65 eV)はバイアスストレス後のしきい値電圧の待機時間依存性の原因であることを明らかにした。 |
| （英） | Analysis of transient response of HfO2/AlGaN/GaN MOSFETs was performed by using the two-dimensional device simulation to investigate the effect of interface traps at the HfO2/AlGaN interface. In experiment, the threshold voltage shifted toward the positive direction after the positive gate bias stress. The amount of threshold voltage shift was dependent on waiting time after the gate bias stress. The simulation results assuming three trap levels of EC – ET = 0.4, 0.765, 1.65 eV which were obtained based on the analytical consideration of this experimental result explained the experimental results well. The shallow traps at EC – ET = 0.4 eV caused the gm decrease at large VGS and the deep traps at EC – ET = 0.765, 1.65 eV caused threshold voltage shift after the bias stress. | |
| キーワード | （和） | HfO2/AlGaN/GaN MOSFET / デバイスシミュレーション / 界面トラップ / 過渡応答 / / / / |
| （英） | HfO2/AlGaN/GaN MOSFET / device simulation / interface trap / transient response / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 360, ED2009-186, pp. 65-70, 2010年1月. | |
| 資料番号 | ED2009-186 | |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-186 MW2009-169 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-186 MW2009-169 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2010-01-13 - 2010-01-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Transient Response of HfO2/AlGaN/GaN MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HfO2/AlGaN/GaN MOSFET / HfO2/AlGaN/GaN MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 界面トラップ / interface trap |
| キーワード(4)（和/英） | 過渡応答 / transient response |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 慶寿 / Yoshihisa Hayashi / ハヤシ ヨシヒサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-14 14:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-186, MW2009-169 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.360(ED), no.361(MW) |
| ページ範囲 | pp.65-70 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) |
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