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講演抄録/キーワード
講演名 2010-01-14 15:05
AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
橋本 信秋田勝史田辺達也中幡英章住友電工)・竹田健一郎天野 浩名城大ED2009-188 MW2009-171 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-188 MW2009-171
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文献情報 信学技報, vol. 109, no. 360, ED2009-188, pp. 77-80, 2010年1月.
資料番号 ED2009-188 
発行日 2010-01-06 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 ED MW  
開催期間 2010-01-13 - 2010-01-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス/一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-01-ED-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) AlGaN channel high electron mobility transistors on AlN substrates. 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 信 / Shin Hashimoto / ハシモト シン
第1著者 所属(和/英) 住友電気工業 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries (略称: SEI)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋田 勝史 / Katsushi Akita / アキタ カツシ
第2著者 所属(和/英) 住友電気工業 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries (略称: SEI)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田辺 達也 / Tatsuya Tanabe / タナベ タツヤ
第3著者 所属(和/英) 住友電気工業 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries (略称: SEI)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中幡 英章 / Hideaki Nakahata / ナカハタ ヒデアキ
第4著者 所属(和/英) 住友電気工業 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries (略称: SEI)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹田 健一郎 / Kenichiro Takeda / タケダ ケンイチロウ
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ
第6著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-01-14 15:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2009-188, MW2009-171 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.360(ED), no.361(MW) 
ページ範囲 pp.77-80 
ページ数
発行日 2010-01-06 (ED, MW) 


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