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| 講演名 | 2010-01-14 13:00 ［招待講演］高性能ZnO系FETの開発 ～ デバイス応用と高周波特性 ～ ○佐々誠彦・小池一歩・前元利彦・矢野満明・井上正崇（阪工大）  ED2009-184 MW2009-167 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-184 MW2009-167 |
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| 抄録 | （和） | 酸化亜鉛（ZnO）は低温成膜が可能なワイドギャップ半導体で、ガラス基板上にスパッタ法などで多結晶膜を形成し、トランジスタを作製することが可能なため、将来、様々なデバイス応用が期待できる。ZnO系FETの潜在的な性能評価のため、MBE成膜した単結晶ヘテロ構造でFETを試作し、そのDCおよび高周波特性について評価した結果について述べる。さらに、センサーなどへの応用、スパッタ法など他の成膜方法で作製したデバイスの特性についても報告する。 |
| （英） | Zinc Oxide (ZnO) has various advantages over other wide gap semiconductors. In order to evaluate its material feasibility, we exploited the device performance using heterostructure FETs for both DC and microwave characteristics. As one of the possible applications for ZnO-based FETs, we report on an implementation to bio-sensing devices. | |
| キーワード | （和） | 酸化亜鉛 / FET / センサー / MBE / スパッタ / / / |
| （英） | ZnO / FET / sensor / MBE / sputtering / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 360, ED2009-184, pp. 55-60, 2010年1月. | |
| 資料番号 | ED2009-184 | |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-184 MW2009-167 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-184 MW2009-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2010-01-13 - 2010-01-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高性能ZnO系FETの開発 |
| サブタイトル（和） | デバイス応用と高周波特性 |
| タイトル（英） | Development of high-performance ZnO-based FETs |
| サブタイトル（英） | Device applications and microwave performance |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化亜鉛 / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | センサー / sensor |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | スパッタ / sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々 誠彦 / Shigehiko Sasa / ササ シゲヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小池 一歩 / Kazuto Koike / コイケ カズト |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前元 利彦 / Toshihiko Maemoto / マエモト トシヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 満明 / Mitsuaki Yano / ヤノ ミツアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 正崇 / Masataka Inoue / イノウエ マサタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-14 13:00:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-184, MW2009-167 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.360(ED), no.361(MW) |
| ページ範囲 | pp.55-60 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) |
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