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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-12 16:05 in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 ○藤井孝博（千葉大）・松井弘之（産総研）・長谷川達生（産総研/東大）・国吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・中村雅一（千葉大）  OME2009-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2009-76 |
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| 抄録 | （和） | 有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、有機半導体／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性・動作安定性に大きな影響を及ぼす。これに対し我々は、酸素や水分の影響を受けることなく界面のトラップ準位の定量評価が可能なin-situ電界効果熱刺激電流(FE-TSC)測定装置を開発し、有機半導体／絶縁膜界面の評価を行なってきた。この装置を用いて、高純度ペンタセンと表面化学状態の異なる複数種のゲート絶縁膜との界面におけるトラップ準位密度分布の評価を行なったところ、絶縁膜表面化学状態によらずペンタセンHOMO上端から70-100 meV上方に孤立したトラップ準位が存在していることが確認された。 |
| （英） | Trap states at organic/gate insulator interfaces in organic thin-film transistors (OTFTs) greatly influence on the characteristics and stability of OTFTs. We have been quantitatively studying the density of interface trap states using an originally developed instrument for in-situ field-effect thermally-stimulated-current (FE-TSC) method which enables us to characterize the trap states without exposing the sample to the air. By this instrument, the density of trap states at pure pentacene/gate insulator interface has been estimated. The results indicated the existence of an isolated trap state at 70-100 meV above pentacene-HOMO-edge, of which energy was insensitive to the chemical structure of the gate insulator surface. | |
| キーワード | （和） | ペンタセン / 有機薄膜トランジスタ / 界面トラップ準位 / 熱刺激電流法 / / / / |
| （英） | pentacene / organic thin-film transistor / interface trap state / thermally stimulated current method / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 359, OME2009-76, pp. 51-56, 2010年1月. | |
| 資料番号 | OME2009-76 | |
| 発行日 | 2010-01-05 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2009-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2009-76 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2010-01-12 - 2010-01-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | センサ，デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Sensor, device, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2010-01-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Trap-State Density at Pentacene/Gate Insulator Interface Using In-Situ Field-Effect Thermally-Stimulated-Current Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | 有機薄膜トランジスタ / organic thin-film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 界面トラップ準位 / interface trap state |
| キーワード(4)（和/英） | 熱刺激電流法 / thermally stimulated current method |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 孝博 / Takahiro Fujii / フジイ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 弘之 / Hiroyuki Matsui / マツイ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 達生 / Tatsuo Hasegawa / ハセガワ タツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所/東京大学 (略称： 産総研/東大) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/University of Tokyo (略称： AIST/Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 国吉 繁一 / Shigekazu Kuniyoshi / クニヨシ シゲカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 正俊 / Masatoshi Sakai / サカイ マサトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo / クドウ カズヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura / ナカムラ マサカズ |
| 第7著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-12 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2009-76 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.359 |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-01-05 (OME) |
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