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| 講演名 | 2009-12-18 16:40 モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイオードの同期動作 ○朴 成鳳・土澤 泰・渡辺俊文・篠島弘幸・西 英隆・山田浩治（NTT）・石川靖彦・和田一美（東大）・板橋聖一（NTT）  OPE2009-169 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2009-169 |
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| 抄録 | （和） | モノリシクに集積したGe p-i-nフォトダイオード(PD)とSi可変光減衰器(VOA)に関する研究を行った。Ge PDは逆バイアス１Vで60 nA程度の暗電流と0.85 A/Wの感度を示した。Si VOAはRib型-導波路にp-i-n構造で形成されコアに相当するi領域に電流を注入することによって、自由キャリア吸収(Free carrier absorption)を誘起し透過光量を制御する。Ge PDはおよそ1 GHzの帯域幅を示し、Si VOAは数ナノ秒の反応速度を示した。これらを集積したデバイスでSi VOAとGe PDが100MHzの伝送速度で同期動作することを確認した。このようなGe PD、Si VOAがモノリシクに集積されたデバイスは、今後様々な応用が期待される。 |
| （英） | We have investigated monolithically integrated Ge p-i-n photodiodes and Si variable optical attenuators (VOAs). The Ge photodiode exhibits low dark current of 60 nA and high responsivity of 0.85 A/W at -1 V. Si VOA also shows efficient light attenuation, as the injection current increases. Furthermore, the Ge photodiode shows approximately 1 GHz of 3-dB cut-off frequency while fall and rise time of Si VOAs are few nanoseconds. These dynamic properties ensure synchronized operation between Si VOA and Ge photodiode at 100 MHz. Such a device configuration, consisting of a tapping splitter, a Ge photodiode as a monitoring detector, and a Si VOA is useful for a signal equalization application in burst-mode optical communication. | |
| キーワード | （和） | Si 可変光減衰器 / Ge フォトダイオード / モノリシク集積 / 同期動作 / / / / |
| （英） | Si VOA / Ge photodiode / Monolithic integration / Synchronized operation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 353, OPE2009-169, pp. 47-52, 2009年12月. | |
| 資料番号 | OPE2009-169 | |
| 発行日 | 2009-12-11 (OPE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2009-169 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2009-169 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
| 開催期間 | 2009-12-18 - 2009-12-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 光パッシブコンポネント（フィルタ、コネクタ、MEMS）、シリコンフォトニク ス、光ファイバ、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2009-12-OPE |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイオードの同期動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Synchronized Operation of a Monolithically-Integrated Si VOA and Ge Photodiode |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si 可変光減衰器 / Si VOA |
| キーワード(2)（和/英） | Ge フォトダイオード / Ge photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | モノリシク集積 / Monolithic integration |
| キーワード(4)（和/英） | 同期動作 / Synchronized operation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朴 成鳳 / Sungbong Park / パク ソンボン |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT corp. (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土澤 泰 / Tai Tsuchizawa / ツチザワ タイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT corp. (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 俊文 / Toshifumi Watanabe / ワタナベ トシフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT corp. (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠島 弘幸 / Hiroyuki Shinojima / シノジマ ヒロユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT corp. (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西 英隆 / Hidetaka Nishi / ニシ ヒデタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT corp. (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 浩治 / Koji Yamada / ヤマダ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT corp. (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田 一美 / Kazumi Wada / ワダ カズミ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 板橋 聖一 / Seiichi Itabashi / |
| 第9著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) NTT corp. (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-18 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2009-169 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.353 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-12-11 (OPE) |
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