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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-11 15:05
InAs多重積層量子ドットによる1.55μm帯レーザ
赤羽浩一山本直克川西哲也NICTLQE2009-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2009-149
抄録 (和) S-Kモードを利用した量子ドット形成法は1層あたりで高密度の量子ドットを作製でき、高性能半導体レーザ、半導体光アンプなどを実現できるポテンシャルがあるが、高性能半導体レーザ、半導体光アンプに応用可能な高利得特性を得るため、積層化を行なう際に歪エネルギーの蓄積という問題があった。本研究ではこの問題の解決方法として、量子ドット埋め込み層において、量子ドットで発生する歪を打ち消す歪補償法を考案し、150層以上のInAs量子ドット積層構造を実現した。本手法を用いた30層積層量子ドットレーザは、短い共振器長のレーザ構造においても励起準位の発振が抑えられ、高密度化の効果が現れた。さらにしきい値電流の温度特性を示すT0の評価結果では、1.55μm帯レーザとしては非常に大きな113Kという値が得られた。 
(英) Semiconductor quantum dots (QDs) grown in the Stranski-Krastanow (S-K) mode by self-assembly techniques could be used to fabricate high-performance optical devices such as QD lasers and QD semiconductor optical amplifier (SOA). The increase in QD density required for its application in lasers and amplifiers can be realized by vertically stacking the QDs. However, the accumulation of strain limits the number of layers that can be stacked by conventional techniques. It is difficult to overcome this problem in self-assembled QDs because strain is the main driving force for the formation of three-dimensional islands in the S-K growth mode. We established a technique involving strain compensation to fabricate multistacked InAs QD structures on InP(311)B substrate; by using this technique, we successfully stacked 150 layers of InAs QDs without any degradation in QD quality. Further, we successfully fabricated multistacked QD laser operating at 1.55 μm. The ground-state emission of the laser was centered at 1529 nm, and the laser had a high characteristic temperature (T0) of 113 K, which is the highest value achieved for a 1.55-μm band semiconductor laser.
キーワード (和) 量子ドット / 半導体レーザ / 歪補償 / 多重積層 / / / /  
(英) Quantum dot / Semiconductor laser / Strain compensation / Multistack / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 331, LQE2009-149, pp. 57-60, 2009年12月.
資料番号 LQE2009-149 
発行日 2009-12-04 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2009-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2009-149

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2009-12-11 - 2009-12-11 
開催地(和) 機械振興会館 地下3階2号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2009-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InAs多重積層量子ドットによる1.55μm帯レーザ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Multistacked InAs quamtum dot laser operating at 1.55um 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子ドット / Quantum dot  
キーワード(2)(和/英) 半導体レーザ / Semiconductor laser  
キーワード(3)(和/英) 歪補償 / Strain compensation  
キーワード(4)(和/英) 多重積層 / Multistack  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ
第1著者 所属(和/英) (独)情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ
第2著者 所属(和/英) (独)情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川西 哲也 / Tetsuya Kawanishi / カワニシ テツヤ
第3著者 所属(和/英) (独)情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
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講演者
発表日時 2009-12-11 15:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-LQE2009-149 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.331 
ページ範囲 pp.57-60 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-LQE-2009-12-04 


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