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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-12-11 09:30 hcp-Niおよびhcp-NiFe薄膜のエピタキシャル成長 ○大竹 充・田中孝浩（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大）  MR2009-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2009-45 |
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| 抄録 | （和） | 分子線エピタキシー法によりAu(100)単結晶下地層上にエピタキシャルNiおよびNiFe薄膜を形成し，構造と磁気特性を調べた．hcp-Ni結晶およびhcp-NiFe結晶がそれぞれ基板温度300 ℃以下および400 ℃以下で形成された．いずれの場合もhcp結晶はc軸が膜面と平行でしかも互いに90度回転した方位関係を持つ2タイプの(11-20)hcpバリアントから構成された．基板温度の上昇に伴い，準安定なhcp結晶はより安定なfcc結晶に変態する傾向が認められた．基板温度100 ℃で形成したNiおよびNiFe薄膜は主にhcp結晶から構成されていることが分かった．hcp-Niおよびhcp-NiFe薄膜はそれぞれバルクfcc-Niおよびfcc-NiFe結晶とほぼ同程度の飽和磁化値を持ち，hcp<0001>方向に磁化容易軸を持つ磁気異方性を示した． |
| （英） | Ni and NiFe epitaxial thin films were prepared on Au(100) single-crystal underlayers by molecular beam epitaxy. The structural and the magnetic properties were investigated. hcp-Ni and hcp-NiFe crystals are obtained at temperatures lower than 300 C and 400 C, respectively. The both kinds of hcp crystals consist of two types of (11-20)hcp domains whose c-axes are in plane and rotated around the film normal by 90 degrees each other. The hcp crystals tend to transform into more stable fcc crystals during film growth process with increasing the substrate temperature. X-ray diffraction and high-resolution transmission electron microscopy show that the Ni and the NiFe films prepared at 100 C consist primarily of hcp crystals. The saturation magnetization values of hcp-Ni and hcp-NiFe films are similar to those of bulk fcc-Ni and fcc-NiFe crystals. The in-plane magnetization properties of hcp-Ni and hcp-NiFe films are interpreted to be reflecting the magnetocrystalline anisotropies of bulk hcp crystals. | |
| キーワード | （和） | Ni / NiFe / 六方最密充填構造 / 薄膜 / エピタキシャル成長 / Au(100)単結晶下地層 / / |
| （英） | Ni / NiFe / hcp Structure / Thin Film / Epitaxial Growth / Au(100) Single-Crystal Underlayer / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, 2009年12月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2009-12-03 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2009-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2009-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-MMS MRIS |
| 開催期間 | 2009-12-10 - 2009-12-11 |
| 開催地（和） | 愛媛大学 工学部 |
| 開催地（英） | Ehime Univ. |
| テーマ（和） | 信号処理および一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2009-12-MMS-MR |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | hcp-Niおよびhcp-NiFe薄膜のエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of hcp-Ni and hcp-NiFe Thin Films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ni / Ni |
| キーワード(2)（和/英） | NiFe / NiFe |
| キーワード(3)（和/英） | 六方最密充填構造 / hcp Structure |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜 / Thin Film |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth |
| キーワード(6)（和/英） | Au(100)単結晶下地層 / Au(100) Single-Crystal Underlayer |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Faculty of Science and Engineering, Chuo University (略称： Chuo Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 孝浩 / Takahiro Tanaka / タナカ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Faculty of Science and Engineering, Chuo University (略称： Chuo Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino / キリノ フミヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京藝術大学大学院美術研究科 (略称： 東京藝術大) Graduate School of Fine Arts, Tokyo National University of Fine Arts and Music (略称： Tokyo National Univ. of Fine Arts and Music) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Faculty of Science and Engineering, Chuo University (略称： Chuo Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-11 09:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2009-45 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.328 |
| ページ範囲 | pp.59-66 |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | 2009-12-03 (MR) |
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