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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-11 11:25
OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析
竹下達也佐藤具就満原 学近藤康洋大橋弘美NTTLQE2009-143 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2009-143
抄録 (和) 2.3$\micron$m波長InAs/InP-MQW-DFBレーザで推定寿命$10^5$h以上(@45℃3mW)の長期信頼性を実証した。高歪みのInAs活性層であっても、従来の通信用レーザと同じ拡散プロセスによって劣化することがわかった。さらに、従来の$t^0.5$劣化を逸脱し安定動作を示すデバイスを光励起電流法により分析した。その結果、エイジングによりp-InP埋込み層のキャリア密度が減少し、これによりリーク電流が抑制され動作電流が安定化したことがわかった。 
(英) We have realized reliable 2.3 $\micron$m wavelength InAs/InP MQW DFB lasers for trace gas monitoring applications. The estimated median lifetime exceeds 1 x $10^5$ hours during aging at an ambient temperature of 45$\degree$C and with a constant output power of 3 mW. It is clarified that the main degradation mechanism in DFB lasers with highly strained InAs quantum wells is dominated by a diffusion process as found with conventional telecommunication lasers. Furthermore, stable behavior devices with deviation from the conventional $t^0.5$ deterioration are analyzed by using the optical beam induced current (OBIC) technique. We found that a decrease in the carrier concentration of the p-type InP buried layer caused by aging leads to a decrease in the pass current and an increase in the operating current is suppressed.
キーワード (和) 信頼性 / エイジング / 半導体レーザ / 量子井戸レーザ / 故障解析 / InAs / 高歪み /  
(英) reliability / aging / semiconductor lasers / quantum well lasers / failure analysis / InAs / high strain /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 331, LQE2009-143, pp. 25-30, 2009年12月.
資料番号 LQE2009-143 
発行日 2009-12-04 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2009-143 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2009-143

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2009-12-11 - 2009-12-11 
開催地(和) 機械振興会館 地下3階2号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2009-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis of Stable Behavior in InAs/InP MQW DFB laser Using an OBIC Monitor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 信頼性 / reliability  
キーワード(2)(和/英) エイジング / aging  
キーワード(3)(和/英) 半導体レーザ / semiconductor lasers  
キーワード(4)(和/英) 量子井戸レーザ / quantum well lasers  
キーワード(5)(和/英) 故障解析 / failure analysis  
キーワード(6)(和/英) InAs / InAs  
キーワード(7)(和/英) 高歪み / high strain  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹下 達也 / Tatsuya Takeshita / タケシタ タツヤ
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation. (略称: NTT Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 具就 / Tomonari Sato / サトウ トモナリ
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation. (略称: NTT Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 満原 学 / Manabu Mitsuhara / ミツハラ マナブ
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation. (略称: NTT Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 近藤 康洋 / Yasuhiro Kondo / コンドウ ヤスヒロ
第4著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation. (略称: NTT Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大橋 弘美 / Hiromi Oohashi / オオハシ ヒロミ
第5著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation. (略称: NTT Corp.)
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講演者
発表日時 2009-12-11 11:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-LQE2009-143 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.331 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-LQE-2009-12-04 


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