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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-12-11 09:00 MgO単結晶基板上に形成したエピタキシャルCo薄膜の構造解析 ○額賀友理・大竹 充・藪原 穣（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大）  MR2009-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2009-44 |
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| 抄録 | （和） | 超高真空分子線エピタキシー法を用いてMgO単結晶基板上にCo薄膜を形成し，基板結晶方位や基板温度がエピタキシャルCo薄膜の構造に及ぼす効果について調べた．MgO(100)基板上では，基板温度300 ℃以上の場合，hcp構造のエピタキシャルCo(11-20)双結晶薄膜が形成され，基板温度100 ℃では，hcp(11-20)結晶に加えfcc(100)結晶が混在した複合的なエピタキシャル薄膜が得られた．MgO(110)基板上では，fcc-Co(110)単結晶薄膜が得られた．MgO(111)基板上では，hcp(0001)およびfcc(111)結晶から構成される最密充填面配向Co薄膜がエピタキシャル成長した．基板温度の上昇に伴い，hcp(0001)結晶が増加し，fcc(111)結晶が減少する傾向が認められた．高分解能透過型電子顕微鏡法により，Co/MgO界面のCo膜中にミスフィット転位が存在していることが観察された．ミスフィット転位の導入により，界面における格子不整合歪が緩和されているものと解釈された． |
| （英） | Co epitaxial thin films were prepared on MgO substrates of (100), (110), and (111) planes by molecular beam epitaxy. The nucleation of Co crystal on MgO substrate varies depending on the substrate orientation and the substrate temperature. On MgO(100) substrates, Co(11-20) epitaxial bi-crystalline films with hcp structure are obtained at temperatures higher than 300 C, whereas a Co epitaxial film prepared at 100 C includes fcc(100) crystal in addition to hcp(11-20) crystal. Co(110)fcc single-crystal films with fcc structure are formed on MgO(110) substrates. Co films consisting of fcc(111) and hcp(0001) crystals epitaxially grow on MgO(111) substrates. With increasing the substrate temperature, the volume ratio of hcp(0001) crystal increases, whereas that of fcc(111) crystal decreases. High-resolution transmission electron microscopy shows that atomically sharp boundaries are formed between the Co films and the MgO substrates, where misfit dislocations are preferentially introduced in the films at the interfaces. The presence of such dislocations relieves the strain caused by the lattice mismatches between the films and the substrates. | |
| キーワード | （和） | Co薄膜 / MgO単結晶基板 / エピタキシャル成長 / 分子線エピタキシー / 透過型電子顕微鏡 / / / |
| （英） | Co Thin Film / MgO Single-Crystal Substrate / Epitaxial Growth / MBE / TEM / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, 2009年12月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2009-12-03 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2009-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2009-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-MMS MRIS |
| 開催期間 | 2009-12-10 - 2009-12-11 |
| 開催地（和） | 愛媛大学 工学部 |
| 開催地（英） | Ehime Univ. |
| テーマ（和） | 信号処理および一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2009-12-MMS-MR |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MgO単結晶基板上に形成したエピタキシャルCo薄膜の構造解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Co Epitaxial Thin Films Grown on MgO Single-Crystal Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Co薄膜 / Co Thin Film |
| キーワード(2)（和/英） | MgO単結晶基板 / MgO Single-Crystal Substrate |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | 透過型電子顕微鏡 / TEM |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 額賀 友理 / Yuri Nukaga / ヌカガ ユリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藪原 穣 / Osamu Yabuhara / ヤブハラ オサム |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino / キリノ フミヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京藝術大学大学院美術研究科 (略称： 東京藝術大) Tokyo National University of Fine Arts and Music (略称： Tokyo National Univ. of Fine Arts and Music) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-11 09:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2009-44 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.328 |
| ページ範囲 | pp.51-58 |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | 2009-12-03 (MR) |
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