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| 講演名 | 2009-12-04 13:50 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価 ○市川和典・松江将博・赤松 浩（神戸高専）・浦岡行治（奈良先端大）  SDM2009-161 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-161 |
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| 抄録 | （和） | 近年低温poly-Si TFT（LTPS TFT）移動度の向上により、CPUやメモリなどの集積回路を同一基板上に作製するシステムオンパネル(SOP)が注目され、そのメモリにはフラッシュメモリが期待されている。今回我々はa-Si/SiO2/a-Siの積層構造の基板に532nmのグリーンレーザーを照射することで、上層および下層のa-Siを同時に結晶化し、上層をフローティングゲート、下層をチャネル層とした低温poly-Si TFTフラッシュメモリを作製およびメモリ特性の評価を行った。その結果、チャネル層のSiの結晶性の向上により、ON電流の向上がみられるなどTFTの特性が向上した。また結晶時における融解熱により酸化膜がアニールされることで、メモリ特性にも大幅な特性向上がみられた。 |
| （英） | Low temperature poly-Si TFT（LTPS TFT） has been widely investigated as a promising technique for a system on panel (SOP). For this purpose, not only switching device, but memory function is also required. In this study, we have succeeded to fabricate low temperature poly-Si TFT flash memory using 3-dementional substrate (a-Si/SiO2/a-Si/Si substrate). Both of the a-Si were crystallized by irradiation of a green laser (532nm) at a time. Memory effect and mobility were markedly improved by the transient behavior of the transfer curve. This technique for flash memory is a promising technique for SOP. | |
| キーワード | （和） | 低温poly-Si TFT / フラッシュメモリ / システムオンパネル / レーザー結晶化 / / / / |
| （英） | Low temperature poly-Si TFT / Flash memory / System on panel / Laser crystallization. / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-161, pp. 55-58, 2009年12月. | |
| 資料番号 | SDM2009-161 | |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-161 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-161 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-12-04 - 2009-12-04 |
| 開催地（和） | 奈良先端大 物質創成科学研究科 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of LTPS TFT flash memory using crystallized 3-dimentonal substrate by green laser irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温poly-Si TFT / Low temperature poly-Si TFT |
| キーワード(2)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | システムオンパネル / System on panel |
| キーワード(4)（和/英） | レーザー結晶化 / Laser crystallization. |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 和典 / Kazunori Ichikawa / イチカワ カズノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸市立工業高等専門学校 (略称： 神戸高専) Kobe City College of Technology (略称： Kobe City Coll. of Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松江 将博 / Masahiro Matsue / マツエ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸市立工業高等専門学校 (略称： 神戸高専) Kobe City College of Technology (略称： Kobe City Coll. of Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤松 浩 / Hiroshi Akamatsu / アカマツ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸市立工業高等専門学校 (略称： 神戸高専) Kobe City College of Technology (略称： Kobe City Coll. of Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-04 13:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-161 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.321 |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) |
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