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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-04 10:20
200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 ~ ドープ量依存性 ~
柳澤英樹西野公三野尻琢慎松浦秀治阪電通大)・大島 武原子力機構SDM2009-154 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-154
抄録 (和) SiC中のC原子のみを変位させる200keVの電子線照射が,Al-doped 4H-SiCとN-doped 4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度に及ぼす影響について検討した.Al-doped 4H-SiCの場合,2種類のアクセプタ密度の照射量依存性が異なることを明らかにした.一方,N-doped 4H-SiCの場合,cubicサイトのNドナーはhexagonalサイトのNドナーより耐放射線性に強いことがわかった. 
(英) We investigate the effect of 200 keV electron irradiation that only displaces C atoms in SiC on the majority-carrier concentration in Al-doped or N-doped 4H-SiC epilayers. In Al-doped 4H-SiC, the fluence dependence of the density of one acceptor species is elucidated to be different from that of the density of the other acceptor species. In N-doped 4H-SiC, N donors located at cubic sublattice sites are more radiation-resistant than N donors located at hexagonal sublattice sites.
キーワード (和) Al-doped 4H-SiC / N-doped 4H-SiC / 電子線照射 / 正孔密度減少 / 電子密度減少 / アクセプタ密度減少 / ドナー密度減少 /  
(英) Al-doped 4H-SiC / N-doped 4H-SiC / Electron irradiation / Reduction in hole concentration / Reduction in electron concentration / Decrease of acceptor density / Decrease of donor density /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-154, pp. 17-22, 2009年12月.
資料番号 SDM2009-154 
発行日 2009-11-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-154 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-154

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-12-04 - 2009-12-04 
開催地(和) 奈良先端大 物質創成科学研究科 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 
サブタイトル(和) ドープ量依存性 
タイトル(英) Research on Radiation Resistance in SiC Epilayer by 200 keV Electron Irradiation. 
サブタイトル(英) dopant-density dependence 
キーワード(1)(和/英) Al-doped 4H-SiC / Al-doped 4H-SiC  
キーワード(2)(和/英) N-doped 4H-SiC / N-doped 4H-SiC  
キーワード(3)(和/英) 電子線照射 / Electron irradiation  
キーワード(4)(和/英) 正孔密度減少 / Reduction in hole concentration  
キーワード(5)(和/英) 電子密度減少 / Reduction in electron concentration  
キーワード(6)(和/英) アクセプタ密度減少 / Decrease of acceptor density  
キーワード(7)(和/英) ドナー密度減少 / Decrease of donor density  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳澤 英樹 / Hideki Yanagisawa / ヤナギサワ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: Osaka Electro-Comm Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西野 公三 / Kozo Nishino / ニシノ コウゾウ
第2著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: Osaka Electro-Comm Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 野尻 琢慎 / Takunori Nojiri / ノジリ タクノリ
第3著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: Osaka Electro-Comm Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル
第4著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: Osaka Electro-Comm Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 武 / Takeshi Ohshima / オオシマ タケシ
第5著者 所属(和/英) 独立行政法人日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-12-04 10:20:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2009-154 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.321 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数
発行日 2009-11-27 (SDM) 


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