講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-12-04 10:20
200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 ~ ドープ量依存性 ~ ○柳澤英樹・西野公三・野尻琢慎・松浦秀治(阪電通大)・大島 武(原子力機構) SDM2009-154 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-154 |
抄録 |
(和) |
SiC中のC原子のみを変位させる200keVの電子線照射が,Al-doped 4H-SiCとN-doped 4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度に及ぼす影響について検討した.Al-doped 4H-SiCの場合,2種類のアクセプタ密度の照射量依存性が異なることを明らかにした.一方,N-doped 4H-SiCの場合,cubicサイトのNドナーはhexagonalサイトのNドナーより耐放射線性に強いことがわかった. |
(英) |
We investigate the effect of 200 keV electron irradiation that only displaces C atoms in SiC on the majority-carrier concentration in Al-doped or N-doped 4H-SiC epilayers. In Al-doped 4H-SiC, the fluence dependence of the density of one acceptor species is elucidated to be different from that of the density of the other acceptor species. In N-doped 4H-SiC, N donors located at cubic sublattice sites are more radiation-resistant than N donors located at hexagonal sublattice sites. |
キーワード |
(和) |
Al-doped 4H-SiC / N-doped 4H-SiC / 電子線照射 / 正孔密度減少 / 電子密度減少 / アクセプタ密度減少 / ドナー密度減少 / |
(英) |
Al-doped 4H-SiC / N-doped 4H-SiC / Electron irradiation / Reduction in hole concentration / Reduction in electron concentration / Decrease of acceptor density / Decrease of donor density / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-154, pp. 17-22, 2009年12月. |
資料番号 |
SDM2009-154 |
発行日 |
2009-11-27 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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