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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-12-04 09:40 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 ○岡本 大・矢野裕司・平田憲司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2009-152 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-152 |
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| 抄録 | （和） | 4H-SiC MOS界面に種々の元素をイオン注入により導入し，界面準位密度の変化を調べた． B, N, F, Al, P, Clを基板表面にイオン注入し，その基板を熱酸化することでSiO2/SiC界面に種々の元素を導入した。B, F, Al, Clを注入したサンプルでは伝導帯付近の界面準位密度が増加したのに対し，N, Pを注入したサンプルでは，注入ドーズ量が5.0 × 1012 cm－2以上のとき界面準位密度が大きく低減した．これまでに知られていたN以外にPでも界面準位密度を低減することができることが明らかとなった．Pの導入により界面準位密度が低減した理由は，P原子が導入されたことにより界面付近の歪が緩和されたためであると考えられる． |
| （英） | A change in the interface state density in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor (MOS) structures by incorporation of various elements was systematically investigated. B, N, F, Al, P, and Cl ions were implanted into SiC prior to the oxidation and introduced at the SiO2/SiC interface by subsequent thermal oxidation. Interface state density near the conduction band edge for B-, F-, Al-, and Cl-implanted MOS capacitors increased with implantation dose. On the other hand, a strong reduction of the interface state density was observed for N- and P-implanted samples when the implantation dose was higher than 5.0 × 1012 cm－2. It was found that the interface state density can be reduced by P as well as N. A possible mechanism of the reduced interface state density by P incorporation is that P atoms reduce a strain in the SiO2 near the interface. | |
| キーワード | （和） | シリコンカーバイド / MOS界面 / 界面準位密度 / Pの導入 / / / / |
| （英） | MOS interface / ion implantation / over-oxidation / interface state density / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-152, pp. 5-10, 2009年12月. | |
| 資料番号 | SDM2009-152 | |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-152 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-152 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-12-04 - 2009-12-04 |
| 開催地（和） | 奈良先端大 物質創成科学研究科 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of interface state density in 4H-SiC MOS interface by incorporation of phosphorus atoms |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / MOS interface |
| キーワード(2)（和/英） | MOS界面 / ion implantation |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位密度 / over-oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | Pの導入 / interface state density |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 大 / Dai Okamoto / オカモト ダイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平田 憲司 / Kenji Hirata / ヒラタ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-04 09:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-152 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.321 |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) |
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