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| 講演名 | 2009-12-04 16:30 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性 ○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大）  SDM2009-168 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-168 |
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| 抄録 | （和） | 酸化ニッケル(NiO) は不定比酸化物として知られており，また，抵抗スイッチング特性を示すことから，抵抗変化型不揮発性メモリへの応用が期待されている．本研究では，組成の異なる複数のNiO 薄膜を用いてPt/NiO/Pt 積層構造を有する試料を作製し，その電気的特性を調べた．NiO 薄膜の組成の不定比性が大きくなるほどその初期状態の抵抗は減少し，初期状態の抵抗が10数 $\Omega$ と小さい試料では抵抗スイッチング動作を示さなかった．また，組成がNiリッチ，ストイキオメトリー，Oリッチである3種類のNiO 薄膜について，297K から573K の温度範囲において，抵抗スイッチング特性を調べた．初期状態の抵抗はそれぞれ互いに異なる温度依存性を示し，その値が小さいときは抵抗スイッチング動作を示さなかった．さらに，同じ試料において，熱処理前後における初期状態の抵抗が異なった．これらは熱処理の過程においてNiO 薄膜の組成が変化したためである．したがって，抵抗スイッチング動作にはNiO 薄膜の最適な組成が存在するといえる． |
| （英） | Nickel Oxide (NiO), known as non-stoichiometric compound, is expected as a candidate of ReRAM because of its resistive switching characteristics. In this study, Pt/NiO/Pt stack structures with various NiO composition were fabricated and were investigated their electrical characteristics. Compositions are the more distant form stoichiometry, NiO thin films have the less resistance in initial states (RIni), and NiO thin films with RIni of about 10 $\Omega$ show no resistive switching behavior. In the temperature range from 297K to 573K, resistive switching characteristics were also examined about the samples with different three NiO compositions: Ni-rich, Stoichiometry, and O-rich. Temperature dependence of RIni was dependent on NiO compositions, and resistive switching behaviors weren’t observed in samples with low RIni. In the same samples, RIni also differed between before and after the thermal treatment. These are because NiO compositions varied during the thermal treatments. Therefore, optimum NiO composition may exist for stable resistive switching behaviors. | |
| キーワード | （和） | NiO / ReRAM / 化学組成 / / / / / |
| （英） | NiO / ReRAM / chemical composition / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-168, pp. 89-92, 2009年12月. | |
| 資料番号 | SDM2009-168 | |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-168 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-168 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-12-04 - 2009-12-04 |
| 開催地（和） | 奈良先端大 物質創成科学研究科 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical composition dependence of electrical characteristics of NiO thin films for ReRAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NiO / NiO |
| キーワード(2)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 化学組成 / chemical composition |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
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| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 達哉 / Tatsuya Iwata / イワタ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西 佑介 / Yusuke Nishi / ニシ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-04 16:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-168 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.321 |
| ページ範囲 | pp.89-92 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) |
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