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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-04 10:00
電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化
野尻琢慎柳澤英樹明神善子松浦秀治阪電通大)・大島 武原子力機構SDM2009-153 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-153
抄録 (和) 電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得られる正孔密度の温度依存性を用い、Free Carrier Concentration Spectroscopy (FCCS)法によってアクセプタと正孔トラップの密度及びエネルギー準位を評価した。その結果、200 keV電子線照射によりAlアクセプタ密度が大きく減少することが分かった。この原因を調べる為、100 keVの電子線を照射し、Al-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度と欠陥について検討した。 
(英) In Al-doped 6H-SiC epilayers irradiated with electrons, the densities and energy levels of acceptor and hole traps were evaluated by FCCS using the temperature-dependent hole concentration obtained by Hall-effect measurements in the van der pauw configuration. Then, the density of Al acceptors was found to be significantly reduced by electron irradiation. To investigate the origin of this phenomenon, we discuss the changes of acceptor densities and defects in Al-doped 6H-SiC epilayers irradiated with 100 keV electrons.
キーワード (和) 6H-SiC / Al-doped SiC / p型 SiC / 電子線照射 / 正孔密度の減少 / アクセプタの減少 / 真性欠陥 /  
(英) 6H-SiC / Al-doped SiC / p-type SiC / Electron irradiation / Reduction in hole concentration / Decrease in acceptor density / Intrinsic defects /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-153, pp. 11-16, 2009年12月.
資料番号 SDM2009-153 
発行日 2009-11-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-153 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-153

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-12-04 - 2009-12-04 
開催地(和) 奈良先端大 物質創成科学研究科 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Changed of Acceptor Density in Al-doped 6H-SiC Epilayer by Electron Irradiattion 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 6H-SiC / 6H-SiC  
キーワード(2)(和/英) Al-doped SiC / Al-doped SiC  
キーワード(3)(和/英) p型 SiC / p-type SiC  
キーワード(4)(和/英) 電子線照射 / Electron irradiation  
キーワード(5)(和/英) 正孔密度の減少 / Reduction in hole concentration  
キーワード(6)(和/英) アクセプタの減少 / Decrease in acceptor density  
キーワード(7)(和/英) 真性欠陥 / Intrinsic defects  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野尻 琢慎 / Takunori Nojiri / ノジリ タクノリ
第1著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: Osaka Electro-Comm Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳澤 英樹 / Hideki Yanagisawa / ヤナギサワ ヒデキ
第2著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: Osaka Electro-Comm Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 明神 善子 / Yosiko Myojin / ミョウジン ヨシコ
第3著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: Osaka Electro-Comm Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル
第4著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: Osaka Electro-Comm Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 武 / Takeshi Ohshima / オオシマ タケシ
第5著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-12-04 10:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2009-153 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.321 
ページ範囲 pp.11-16 
ページ数
発行日 2009-11-27 (SDM) 


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