講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-12-04 10:00
電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 ○野尻琢慎・柳澤英樹・明神善子・松浦秀治(阪電通大)・大島 武(原子力機構) SDM2009-153 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-153 |
抄録 |
(和) |
電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得られる正孔密度の温度依存性を用い、Free Carrier Concentration Spectroscopy (FCCS)法によってアクセプタと正孔トラップの密度及びエネルギー準位を評価した。その結果、200 keV電子線照射によりAlアクセプタ密度が大きく減少することが分かった。この原因を調べる為、100 keVの電子線を照射し、Al-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度と欠陥について検討した。 |
(英) |
In Al-doped 6H-SiC epilayers irradiated with electrons, the densities and energy levels of acceptor and hole traps were evaluated by FCCS using the temperature-dependent hole concentration obtained by Hall-effect measurements in the van der pauw configuration. Then, the density of Al acceptors was found to be significantly reduced by electron irradiation. To investigate the origin of this phenomenon, we discuss the changes of acceptor densities and defects in Al-doped 6H-SiC epilayers irradiated with 100 keV electrons. |
キーワード |
(和) |
6H-SiC / Al-doped SiC / p型 SiC / 電子線照射 / 正孔密度の減少 / アクセプタの減少 / 真性欠陥 / |
(英) |
6H-SiC / Al-doped SiC / p-type SiC / Electron irradiation / Reduction in hole concentration / Decrease in acceptor density / Intrinsic defects / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-153, pp. 11-16, 2009年12月. |
資料番号 |
SDM2009-153 |
発行日 |
2009-11-27 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2009-153 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-153 |