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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-04 14:30
ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象
原 明人佐藤 功東北学院大SDM2009-163 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-163
抄録 (和) 多結晶シリコン薄膜は薄膜トランジスタや太陽電池材料として注目されているが、それらのデバイスの性能・効率・信頼性の向上のためには、金属不純物のゲッタリングが重要である。本研究は、ガラス上に形成された大粒径の多結晶シリコン薄膜のゲッタリング現象について研究している。Niを利用した金属誘起固相成長を利用してNiをドープした多結晶シリコン薄膜を形成したのち、レーザを利用した再結晶成長を行いNiをドープした大粒径・高品質多結晶シリコン薄膜をガラス上に形成した。Niの挙動は、STEM,STEM-EDX、EDにて観察した。その結果、NiはNiシリサイドとして結晶粒界の会合点に集積することを明らかにした。 
(英) Gettering of metal impurities in thin poly-Si films is one of the key techniques for realizing high-performance, high-reliability, and high-efficiency TFTs and solar cells. In this study, the gettering of large-grained thin poly-Si films with a thickness of 100 nm and with Ni impurities was studied. A large-grained Ni-doped thin poly-Si film was fabricated on a glass substrate by Ni-induced solid phase crystallization (Ni-SPC) followed by continuous-wave (CW) green laser recrystallization. The behavior of Ni impurities in the large-grained thin poly-Si film was evaluated by scanning transmission electron microscopy (STEM), STEM energy-dispersive X-ray spectroscopy (STEM-EDX), and electron diffraction (ED). It was observed that Ni stabilized through the formation of Ni-disilicide (NiSi2) at the triple junction during the low-temperature device-fabrication process.
キーワード (和) 多結晶シリコン / 太陽電池 / ゲッタリング / 薄膜トランジスタ / 不純物 / シリサイド / /  
(英) poly-Si / solar cell / gettering / TFT / impurities / silicide / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-163, pp. 63-65, 2009年12月.
資料番号 SDM2009-163 
発行日 2009-11-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-163 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-163

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-12-04 - 2009-12-04 
開催地(和) 奈良先端大 物質創成科学研究科 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Gettering in Large-Grained Thin Polycrystalline Silicon Films on Glass Substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 多結晶シリコン / poly-Si  
キーワード(2)(和/英) 太陽電池 / solar cell  
キーワード(3)(和/英) ゲッタリング / gettering  
キーワード(4)(和/英) 薄膜トランジスタ / TFT  
キーワード(5)(和/英) 不純物 / impurities  
キーワード(6)(和/英) シリサイド / silicide  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト
第1著者 所属(和/英) 東北学院大学 (略称: 東北学院大)
Tohoku Gakuin University (略称: Tohoku Gakuin Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 功 / Tsutomu Sato / サトウ ツトム
第2著者 所属(和/英) 東北学院大学 (略称: 東北学院大)
Tohoku Gakuin University (略称: Tohoku Gakuin Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-12-04 14:30:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2009-163 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.321 
ページ範囲 pp.63-65 
ページ数
発行日 2009-11-27 (SDM) 


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