講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-12-04 14:30
ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象 ○原 明人・佐藤 功(東北学院大) SDM2009-163 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-163 |
抄録 |
(和) |
多結晶シリコン薄膜は薄膜トランジスタや太陽電池材料として注目されているが、それらのデバイスの性能・効率・信頼性の向上のためには、金属不純物のゲッタリングが重要である。本研究は、ガラス上に形成された大粒径の多結晶シリコン薄膜のゲッタリング現象について研究している。Niを利用した金属誘起固相成長を利用してNiをドープした多結晶シリコン薄膜を形成したのち、レーザを利用した再結晶成長を行いNiをドープした大粒径・高品質多結晶シリコン薄膜をガラス上に形成した。Niの挙動は、STEM,STEM-EDX、EDにて観察した。その結果、NiはNiシリサイドとして結晶粒界の会合点に集積することを明らかにした。 |
(英) |
Gettering of metal impurities in thin poly-Si films is one of the key techniques for realizing high-performance, high-reliability, and high-efficiency TFTs and solar cells. In this study, the gettering of large-grained thin poly-Si films with a thickness of 100 nm and with Ni impurities was studied. A large-grained Ni-doped thin poly-Si film was fabricated on a glass substrate by Ni-induced solid phase crystallization (Ni-SPC) followed by continuous-wave (CW) green laser recrystallization. The behavior of Ni impurities in the large-grained thin poly-Si film was evaluated by scanning transmission electron microscopy (STEM), STEM energy-dispersive X-ray spectroscopy (STEM-EDX), and electron diffraction (ED). It was observed that Ni stabilized through the formation of Ni-disilicide (NiSi2) at the triple junction during the low-temperature device-fabrication process. |
キーワード |
(和) |
多結晶シリコン / 太陽電池 / ゲッタリング / 薄膜トランジスタ / 不純物 / シリサイド / / |
(英) |
poly-Si / solar cell / gettering / TFT / impurities / silicide / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-163, pp. 63-65, 2009年12月. |
資料番号 |
SDM2009-163 |
発行日 |
2009-11-27 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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