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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-02 13:50
[招待講演]最新半導体デバイスの環境中性子線エラー ~ デザインルール22nmへのインパクトと対策 ~
伊部英史新保健一谷口 斉鳥羽忠信日立CPM2009-139 ICD2009-68 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-139 ICD2009-68
抄録 (和) メモリ、論理ゲートなど半導体デバイスの環境中性子線によるエラーのメカニズム、各種エラーモードの現状と22nmデザインルールまでの予測、電子システムへの影響と対策について概括する。 
(英) The status-of-the-art in failures and their mechanisms of CMOS memories and logic gates induced by terrestrial neutrons are reviewed. Soft-errors in SRAMs down to 22nm design rule are predicted by simulation and their impacts on logic gates and electronic systems are discussed.
キーワード (和) 環境中性子線 / CMOS / SRAM / ソフトエラー / 論理デバイス / ラッチ / 電子システム /  
(英) terrestrial neutron / CMOS / SRAM / soft-error / logic device / latch / electronic system /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 317, CPM2009-139, pp. 29-34, 2009年12月.
資料番号 CPM2009-139 
発行日 2009-11-25 (CPM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2009-139 ICD2009-68 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-139 ICD2009-68

研究会情報
研究会 VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM  
開催期間 2009-12-02 - 2009-12-04 
開催地(和) 高知市文化プラザ 
開催地(英) Kochi City Culture-Plaza 
テーマ(和) デザインガイア2009 ―VLSI設計の新しい大地― 
テーマ(英) Design Gaia 2009 ―New Field of VLSI Design― 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2009-12-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 最新半導体デバイスの環境中性子線エラー 
サブタイトル(和) デザインルール22nmへのインパクトと対策 
タイトル(英) Failures due to Terrestriall Neutrons in Most Advanced Semicondutor Devices 
サブタイトル(英) Impacts and Hardening Techniques down to 22nm Design Rule 
キーワード(1)(和/英) 環境中性子線 / terrestrial neutron  
キーワード(2)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(3)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(4)(和/英) ソフトエラー / soft-error  
キーワード(5)(和/英) 論理デバイス / logic device  
キーワード(6)(和/英) ラッチ / latch  
キーワード(7)(和/英) 電子システム / electronic system  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊部 英史 / Eishi Ibe / イベ エイシ
第1著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 新保 健一 / Kenichi Shimbo / シンボ ケンイチ
第2著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷口 斉 / Hitoshi Taniguchi / タニグチ ヒトシ
第3著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥羽 忠信 / Tadanobu Toba / トバ タダノブ
第4著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi, Ltd.)
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講演者
発表日時 2009-12-02 13:50:00 
発表時間 35 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2009-139,IEICE-ICD2009-68 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.317(CPM), no.318(ICD) 
ページ範囲 pp.29-34 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2009-11-25,IEICE-ICD-2009-11-25 


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