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| 講演名 | 2009-11-30 09:00 スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ（0.8-0.9THz）発振器 ○澤田清仁・鈴木左文・寺西豊志・白石誠人・浅田雅洋（東工大）・杉山弘樹・横山春喜（NTT）  ED2009-166 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-166 |
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| 抄録 | （和） | スパイクドーピングを入れることによって，動作電圧を低減した共鳴トンネルダイオードにおいて約900GHzの基本波発振が得られた．スパイクドーピングなしの構造ではピーク電圧が0.94 Vであったが，スパイクドーピングを2x10^{18}，1x10^{19} cm^{-3}入れることにより，それぞれ0.67，0.4 Vまで低減した．ピーク電流密度はおよそ18 mA/{\mu}m^2であり，スパイクドーピングをすることではほとんど変わらない．今回の実験で得られた最高発振周波数は898 GHzであり，素子の面積は0.53 {\mu}m^2，スパイクドーピングは2x10^{18} cm^{-3}である． |
| （英） | We demonstrate fundamental oscillations at around 900 GHz with low bias voltages in resonant tunneling diodes (RTDs) having spike-doping structures. The voltages at the current peak were 0.67 and 0.4 V for RTDs with the spike doping concentrations of 2x10^{18} and 1x10^{19} cm^{-3}, respectively, while 0.94 V without spike doping. The peak current densities were around 18 mA/{\mu}m^2, almost unchanged with the spike doping. The highest oscillation frequency in this study was 898 GHz at 0.53-{\mu}m^2-mesa area for the RTD with spike doping concentration of 2x10^{18} cm^{-3}. | |
| キーワード | （和） | 共鳴トンネルダイオード / テラヘルツ発振器 / スパイクドーピング / / / / / |
| （英） | resonant tunneling diode / THz oscillators / spike doping / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 313, ED2009-166, pp. 37-40, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ED2009-166 | |
| 発行日 | 2009-11-22 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-166 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-166 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-11-29 - 2009-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪科学技術センター |
| 開催地（英） | Osaka Science & Technology Center |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, THz-wave device and system |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-11-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ（0.8-0.9THz）発振器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Resonant Tunneling Diode Terahertz (0.8-0.9THz) Oscillators with Spike Doping for Low Voltage Operation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diode |
| キーワード(2)（和/英） | テラヘルツ発振器 / THz oscillators |
| キーワード(3)（和/英） | スパイクドーピング / spike doping |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤田 清仁 / Kiyohito Sawada / サワダ キヨヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 左文 / Safumi Suzuki / スズキ サフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺西 豊志 / Atsushi Teranishi / テラニシ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 誠人 / Masato Shiraishi / シライシ マサト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅田 雅洋 / Masahiro Asada / アサダ マサヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第6著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 春喜 / Haruki Yokoyama / ヨコヤマ ハルキ |
| 第7著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-30 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-166 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.313 |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-22 (ED) |
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