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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-20 10:55 MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 ○小川恵理・橋詰 保（北大/JST）  ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 |
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| 抄録 | （和） | Mgドープ量の異なるGaN表面にSiO2保護膜を形成し，1000〜1100oCの高温でアニールを行い，アニール後のGaN表面の化学的特性，光学的特性を評価した．保護膜を形成しているのにもかかわらず，高温アニール中にGaN表面から，Gaが外方拡散することが分かった．また高Mgドープ試料では，アニール後のGaN表面にMg偏析が確認された．PL測定から，高温アニール後のMgドープGaN表面に深い準位が新たに形成され，Mgドープ量が高いほど，高密度の深い準位が生成することが分かった．また，深い準位の発光スペクトルのピーク位置および形状はMgドープ量により大きく異なり，形成される深い準位の成因は，Mgドープ量によって異なる可能性があることが分かった． |
| （英） | We have investigated chemical, electrical and optical properties of Mg-doped GaN surfaces subjected to a high-temperature anneal. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) showed that Ga2p peaks were clearly detected at the SiO2/p-GaN surface after the annealing at 1000 oC, in addition to the Si and O peaks originating from SiO2surface. This indicated that the out-diffusion of Ga atom was induced by high-temperature anneal. After removing the SiO2 film, we found a significant segregation of Mg atoms near the p-GaN surface with the Mg-doping of 1x1019cm-3. For the as-grown sample with the Mg-doping of 2x1019cm-3, a broad PL peak at around 3.1eV was detected in addition to a weak band-edge emission. After the annealing, a new peak appeared at around 2.8 eV, of which the peak position is very close to the so-called blue luminescence (BL) often observed in the highly Mg-doped GaN. On the other hand, different PL spectra were observed for the sample with the Mg-doping of 3x1018cm-3 before and after the annealing, indicating that the formation of deep level is dependent on the Mg density and annealing condition. | |
| キーワード | （和） | MgドープGaN / Ga空孔 / Mg偏析 / 深い準位 / XPS / PL / / |
| （英） | Mg-doped GaN / Ga vacancy / Mg accumulation / Deep level / XPS / PL / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-150, pp. 105-108, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ED2009-150 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Variation of surface properties in Mg-doped GaN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MgドープGaN / Mg-doped GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Ga空孔 / Ga vacancy |
| キーワード(3)（和/英） | Mg偏析 / Mg accumulation |
| キーワード(4)（和/英） | 深い準位 / Deep level |
| キーワード(5)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(6)（和/英） | PL / PL |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 恵理 / Eri Ogawa / オガワ エリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学/科学技術振興機構 (略称： 北大/JST) Hokkaido University/CREST-JST (略称： Hokkaido Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学/科学技術振興機構 (略称： 北大/JST) Hokkaido University/CREST-JST (略称： Hokkaido Univ./JST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-20 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-150, CPM2009-124, LQE2009-129 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.105-108 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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