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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-20 13:35
AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成
渡邊史直福井大)・矢船憲成金属系材料研究開発センター/シャープ)・永森 基近岡大成福井大)・作野圭一シャープ)・葛原正明福井大ED2009-154 CPM2009-128 LQE2009-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-154 CPM2009-128 LQE2009-133
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文献情報 信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-154, pp. 125-128, 2009年11月.
資料番号 ED2009-154 
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2009-11-19 - 2009-11-20 
開催地(和) 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 
開催地(英) Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) 
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low resistivity V/Al/Mo/Au ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructure 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邊 史直 / Fuminao Watanabe / ワタナベ フミナオ
第1著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fukui Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢船 憲成 / Norimasa Yafune / ヤフネ ノリマサ
第2著者 所属(和/英) 財団法人 金属系材料研究開発センター/シャープ株式会社 (略称: 金属系材料研究開発センター/シャープ)
Japan Research and Development Center for Metal/Sharp Corporation (略称: JRCM/Sharp Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 永森 基 / Motoi Nagamori / ナガモリ モトイ
第3著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fukui Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 近岡 大成 / Hironari Chikaoka / チカオカ ヒロナリ
第4著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fukui Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 作野 圭一 / Keiichi Sakuno / サクノ ケイイチ
第5著者 所属(和/英) シャープ株式会社 (略称: シャープ)
Sharp Corporation (略称: Sharp Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ
第6著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Fukui Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-11-20 13:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2009-154, CPM2009-128, LQE2009-133 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) 
ページ範囲 pp.125-128 
ページ数
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 


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