| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-20 14:00 Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○鈴江隆晃・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大）  ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 |
|
| 抄録 | （和） | Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて厚膜サンプルの特性評価を行った。耐圧測定を行ったところ、成長層膜厚の増加に伴い耐圧は向上することが分かり、総膜厚5.5 umにおいて1089 Vと良好な耐圧を得られた。また、GaN層と多層膜のどちらの膜厚を厚くしても、耐圧が向上することを確認できた。一方、厚膜サンプルでも表面に1 um程度の大きさのピットが存在する場合、耐圧は改善されず、このピット密度の増加に伴い、耐圧や電子移動度は低下することがわかった。このピットの発生原因を調べるためにピット断面観察を行ったところ、Si基板がエッチングされており、そこからピットが発生していることを確認した。これはリアクタ内の残留GaがSi基板をエッチングしていることが原因と考えられる。よって、厚膜化による耐圧向上では、このピットをなくすことが重要である。 |
| （英） | We have studied the breakdown characteristics of thick AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with multilayer structure. The breakdown voltage shows a linear increase with the total thickness of epitaxial layer and a breakdown as high as 1089 V is achieved for the thickness of 5.5 um. However, the breakdown value decreases when pits appear at surface even for thick epilayers. For a certain thickness, the breakdown values decreased as the density of pit increased. The TEM and SEM cross-section images revealed that the pits originated from silicon substrate induced by Ga etching Si substrate at high growth temperatures. The three terminal-off breakdown voltage and electron mobility of the HEMTs decreased rapidly as the density of the pit increased. | |
| キーワード | （和） | Si基板 / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / 高電子移動度トランジスタ (HEMT) / / / |
| （英） | Si substrate / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / HEMT / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-155, pp. 129-132, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ED2009-155 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs on Si substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(4)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ (HEMT) / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴江 隆晃 / Takaaki Suzue / スズエ タカアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ローレンス セルバラージ / Lawrence Selvaraj / ローレンス セルバラージ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-20 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-155, CPM2009-129, LQE2009-134 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.129-132 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]