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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-20 09:55 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長 ○矢野良樹・池永和正・徳永裕樹（大陽日酸）・山本 淳（大陽日酸イー・エム・シー）・田渕俊也（大陽日酸）・内山康右（大陽日酸イー・エム・シー）・山口 晃・福田 靖・生方映徳（大陽日酸）・原田康博・伴 雄三郎・松本 功（大陽日酸イー・エム・シー）・山崎利明（大陽日酸）  ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127 |
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| 抄録 | （和） | 我々は4インチ基板11枚を1バッチで処理できる大型MOVPE装置（UR25K）を開発した。GaN系デバイスの成長時間の短縮を目的として、UR25Kを使用して大気圧下で10μm/hの速度でGaNを成長した。X線回折ロッキングカーブの半値幅は(0002)方向で200arcsec、(10-12)方向で260arcsecとなった。残留炭素濃度は2.5×1016cm-3であった。また、n-GaNを3.6μm/hで成長したLEDサンプルと、10μm/hで成長したLEDサンプルを作製した。それぞれのEL特性を調べたところ、ほぼ同じレベルであった。以上の結果から、UR25KにおけるGaNの高速成長がGaN系デバイスの成長時間短縮に貢献できる可能性があると考えられる。 |
| （英） | We have developed a multiwafer MOVPE reactor with a capacity of eleven 4 inch wafers(UR25K). In order to shorten the growth time of GaN-based devices, we have grown GaN at 10$\micro\m/h under atmospheric pressure using UR25K. The full width at half maximum values of the X-ray diffraction rocking curve for the (0002) and (10-12) directions were 200 arcsec and 260 arcsec, respectively. The residual carbon concentration was 2.5 × 1016 cm-3. We have grown two samples of simple blue-LED structure. The n-GaN growth rates of the samples were 3.6$\micro\m/h and 10$\micro$m/h, respectively. Electroluminescence characteristics of the two were almost the same level. These results indicate that the high rate growth of GaN using UR25K can contribute to shortening the growth time of GaN-based devices. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / 大型装置 / 高速成長 / GaN / LED / 気相反応 / / |
| （英） | MOVPE / multiwafer MOVPE / high rate growth / GaN / LED / parasitic reaction / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-148, pp. 95-98, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ED2009-148 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High rate growth of GaN using 4 inch x 11 multi wafer MOVPE reactor (UR25K) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | 大型装置 / multiwafer MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 高速成長 / high rate growth |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(6)（和/英） | 気相反応 / parasitic reaction |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 良樹 / Yoshiki Yano / ヤノ ヨシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo Nippon Sanso) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池永 和正 / Kazutada Ikenaga / イケナガ カズタダ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo Nippon Sanso) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳永 裕樹 / Hiroki Tokunaga / トクナガ ヒロキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo Nippon Sanso) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 淳 / Jun Yamamoto / ヤマモト ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 (略称： 大陽日酸イー・エム・シー) TN EMC LTD. (略称： TN EMC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田渕 俊也 / Toshiya Tabuchi / タブチ トシヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo Nippon Sanso) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内山 康右 / Kousuke Uchiyama / ウチヤマ コウスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 (略称： 大陽日酸イー・エム・シー) TN EMC LTD. (略称： TN EMC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 晃 / Akira Yamaguchi / ヤマグチ アキラ |
| 第7著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo Nippon Sanso) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 靖 / Yasushi Fukuda / フクダ ヤスシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo Nippon Sanso) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生方 映徳 / Akinori Ubukata / ウブカタ アキノリ |
| 第9著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo Nippon Sanso) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 康博 / Yasuhiro Harada / ハラダ ヤスヒロ |
| 第10著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 (略称： 大陽日酸イー・エム・シー) TN EMC LTD. (略称： TN EMC) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伴 雄三郎 / Yuzaburo Ban / バン ユウザブロウ |
| 第11著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 (略称： 大陽日酸イー・エム・シー) TN EMC LTD. (略称： TN EMC) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 功 / Koh Matsumoto / マツモト コウ |
| 第12著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 (略称： 大陽日酸イー・エム・シー) TN EMC LTD. (略称： TN EMC) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 利明 / Toshiaki Yamazaki / ヤマザキ トシアキ |
| 第13著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo Nippon Sanso) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-20 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-148, CPM2009-122, LQE2009-127 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.95-98 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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