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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 09:00 Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長 ○原 航平・直井美貴・酒井士郎（徳島大）  ED2009-128 CPM2009-102 LQE2009-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-128 CPM2009-102 LQE2009-107 |
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| 抄録 | （和） | サファイア基板上に有機金属気相成長（MOCVD）法を用いて成長したGaN上にタンタル（Ta）マスクを形成し，再度，MOCVD法でGaN成長を行うと，Taマスク下地層GaNに対して選択的なエッチングが起こり，空洞を形成することがわかった．金属の触媒作用の影響によって下地層GaNがエッチングされるという報告がある．また，下地層GaNのエッチングはTaマスクの膜厚に依存し，Ta蒸着後の試料表面に対してエネルギー分散型X線（EDX）分析を行うと，Taマスク領域から酸素が検出された． |
| （英） | Two step growth of GaN is performed, and the metal which is selectively sandwiched into GaN is formed. A GaN downward is etched away when Ta is selectively there. The mechanism is that TaN is formed at high temperature and separate into two, Ta and N2 gas. TaN is again formed, and the rest is in the same way. The usefulness of this technique is the use of the reflectance layer for the UV-LED which emits shorter than 370 nm. | |
| キーワード | （和） | GaN / タンタル（Ta） / エッチング / / / / / |
| （英） | GaN / tantalum（Ta） / etching / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-107, pp. 1-4, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-107 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-128 CPM2009-102 LQE2009-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-128 CPM2009-102 LQE2009-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN Re-growth Using Ta Mask Which Etches Covering GaN Layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | タンタル（Ta） / tantalum（Ta） |
| キーワード(3)（和/英） | エッチング / etching |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 航平 / Kohei Hara / ハラ コウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 直井 美貴 / Yoshiki Naoi / ナオイ ヨシキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 士郎 / Shiro Sakai / サカイ シロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2009-128, CPM2009-102, LQE2009-107 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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