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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-19 15:45
AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード
吉田治正桑原正和山下陽滋高木康文内山和也菅 博文浜松ホトニクスED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120
抄録 (和) AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した.GaN/AlGaNおよびAlGaN多重量子井戸型のレーザダイオードは,低転位のAlGaN結晶上に作製したもので,その発振波長は最も短いものでは336nmとなり,GaNのバンドギャップに相当する波長を遥かに下回る発振波長を達成した.高品質のAlGaN結晶上に作製したAlGaN系レーザダイオードに関する数々の結果は,今後さらに短波長の紫外レーザダイオードを実現する上で極めて重要となるであろう. 
(英) We have demonstrated the room-temperature operations of AlGaN based multi-quantum-well (MQW) laser diodes under pulsed-current mode. GaN/AlGaN and AlGaN MQW laser diodes have been fabricated on the low dislocation density AlGaN films. The AlGaN MQW laser diodes lased at a peak wavelength down to 336 nm far beyond the GaN band gap. The results on the AlGaN based laser diodes grown on the high quality AlGaN films presented here will be essential for the future development of laser diodes emitting much shorter wavelength.
キーワード (和) GaN / AlGaN / 紫外 / レーザダイオード / 半導体レーザ / / /  
(英) GaN / AlGaN / ultraviolet / laser diodes / , semiconductor lasers / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-120, pp. 61-64, 2009年11月.
資料番号 LQE2009-120 
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2009-11-19 - 2009-11-20 
開催地(和) 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 
開催地(英) Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) 
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2009-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ultraviolet AlGaN based multiple-quantum-well laser diodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN  
キーワード(3)(和/英) 紫外 / ultraviolet  
キーワード(4)(和/英) レーザダイオード / laser diodes  
キーワード(5)(和/英) 半導体レーザ / , semiconductor lasers  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 治正 / Harumasa Yoshida / ヨシダ ハルマサ
第1著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社 (略称: 浜松ホトニクス)
Hamamatsu Photonics K.K. (略称: Hamamatsu Photonics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑原 正和 / Masakazu Kuwabara / クワバラ マサカズ
第2著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社 (略称: 浜松ホトニクス)
Hamamatsu Photonics K.K. (略称: Hamamatsu Photonics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 陽滋 / Yoji Yamashita / ヤマシタ ヨウジ
第3著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社 (略称: 浜松ホトニクス)
Hamamatsu Photonics K.K. (略称: Hamamatsu Photonics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 康文 / Yasufumi Takagi / タカギ ヤスフミ
第4著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社 (略称: 浜松ホトニクス)
Hamamatsu Photonics K.K. (略称: Hamamatsu Photonics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 内山 和也 / Kazuya Uchiyama / ウチヤマ カズヤ
第5著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社 (略称: 浜松ホトニクス)
Hamamatsu Photonics K.K. (略称: Hamamatsu Photonics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅 博文 / Hirofumi Kan / カン ヒロフミ
第6著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社 (略称: 浜松ホトニクス)
Hamamatsu Photonics K.K. (略称: Hamamatsu Photonics)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-11-19 15:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2009-141, CPM2009-115, LQE2009-120 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) 
ページ範囲 pp.61-64 
ページ数
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 


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