講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-11-19 15:45
AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・高木康文・内山和也・菅 博文(浜松ホトニクス) ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120 |
抄録 |
(和) |
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した.GaN/AlGaNおよびAlGaN多重量子井戸型のレーザダイオードは,低転位のAlGaN結晶上に作製したもので,その発振波長は最も短いものでは336nmとなり,GaNのバンドギャップに相当する波長を遥かに下回る発振波長を達成した.高品質のAlGaN結晶上に作製したAlGaN系レーザダイオードに関する数々の結果は,今後さらに短波長の紫外レーザダイオードを実現する上で極めて重要となるであろう. |
(英) |
We have demonstrated the room-temperature operations of AlGaN based multi-quantum-well (MQW) laser diodes under pulsed-current mode. GaN/AlGaN and AlGaN MQW laser diodes have been fabricated on the low dislocation density AlGaN films. The AlGaN MQW laser diodes lased at a peak wavelength down to 336 nm far beyond the GaN band gap. The results on the AlGaN based laser diodes grown on the high quality AlGaN films presented here will be essential for the future development of laser diodes emitting much shorter wavelength. |
キーワード |
(和) |
GaN / AlGaN / 紫外 / レーザダイオード / 半導体レーザ / / / |
(英) |
GaN / AlGaN / ultraviolet / laser diodes / , semiconductor lasers / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-120, pp. 61-64, 2009年11月. |
資料番号 |
LQE2009-120 |
発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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