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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 17:35 InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて ～ 発光素子から太陽電池への展開 ～ ○草部一秀・石谷善博・吉川明彦（千葉大）  ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 |
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| 抄録 | （和） | InNの物性を活かした光デバイス開発には、（1) InNおよび高In組成窒化物混晶のｐ型伝導制御、および(2) 構造的完全性の高い量子井戸構造の作製制御が必須である。我々が研究を進めてきた、ｐ型伝導制御と１分子層InN量子井戸による新たな展開として、InN系新規受光デバイスへの応用について提案する。特に、最近注力しているInN/InGaN/GaN非対称量子井戸構造は、QCSEを抑えた発光デバイスばかりでなく、光増感型の超高効率太第3世代型太陽電池や赤外センサーなど、受光デバイスとしても興味深い。本稿では、その受光デバイス設計の考え方や特徴などについて紹介する。1分子層InN量子井戸を光増感層としたInGaNタンデム型太陽電池を構成することで、理論最大変換効率が6接合では56%（さらに250倍集光時では65%）に到達することを示す。 |
| （英） | For a development of photonic devices utilizing InN properties, it is necessary to control (1) the p-type conductivity in InN and In-rich InGaN, and (2) the structural perfection of quantum well structures. A new development of InN-based novel photonic detectors is proposed, based on our achievements of the p-type conductive control and the 1-monolayer-thick InN quantum wells. Especially, the InN/InGaN/GaN asymmetric quantum well structures, which have been recently investigated, are expected for application not only to emitters suppressing QCSE, but also to third generation ultrahigh-efficiency solar cells, and to infrared photo-detectors. In this article, a design concept and a feature of the photonic detectors are presented. When the InGaN tandem solar cells including 1ML-InN QWs as a photo-sensitizer are composed, theoretical evaluation shows that the maximum conversion efficiency reaches 56% for the 6 tandem structure (further 65 % under 250 suns). | |
| キーワード | （和） | 1分子層InN / InGaN混晶 / 太陽電池 / 光増感効果 / / / / |
| （英） | 1ML-InN / InGaN alloys / Solar cell / Photo-sensitization / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-124, pp. 81-84, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-124 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて |
| サブタイトル（和） | 発光素子から太陽電池への展開 |
| タイトル（英） | Proposal of ultrathin InN-based asymmetric structure III-N QWs for novel photonic devices |
| サブタイトル（英） | Development from emitters into solar cells |
| キーワード(1)（和/英） | 1分子層InN / 1ML-InN |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN混晶 / InGaN alloys |
| キーワード(3)（和/英） | 太陽電池 / Solar cell |
| キーワード(4)（和/英） | 光増感効果 / Photo-sensitization |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 草部 一秀 / Kazuhide Kusakabe / クサカベ カズヒデ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石谷 善博 / Yoshihiro Ishitani / イシタニ ヨシヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 明彦 / Akihiko Yoshikawa / ヨシカワ アキヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 17:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2009-145, CPM2009-119, LQE2009-124 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.81-84 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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