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| 講演名 | 2009-11-19 10:50 RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 ～ 配列制御InNナノコラム成長について ～ ○荒木 努・山口智広・金子昌充（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大）  ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 |
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| 抄録 | （和） | InN結晶高品質化への一つのアプローチであるInNナノコラム成長について報告する。GaNテンプレート基板に、集束イオンビーム加工装置（FIB）を用いてホールパターン加工を施し、その上にECR-MBE法およびRF-MBE法を用いてInNナノコラム成長を行った。成長温度、V/III比、ホールパターンの直径、間隔などの各種成長パラメーターがInNナノコラム成長形態へ与える影響について検討し、これらを最適化することにより、配列制御したInNナノコラムの成長に成功した。作製するホール密度を変化させることで、ナノコラムの形成密度を9本/m2.から100本/m2に制御することができた。CL測定の結果、InNナノコラムから0.74 eVにピーク位置を持つ発光スペクトルが得られた。 |
| （英） | Position controlled InN nanocolumns were successfully grown by ECR-MBE and RF-MBE on hole-patterned GaN template fabricated by focused ion beam (FIB). Dependences of morphological changes in InN nanocolumn on growth temperature, hole size and V/III ratio were investigated. It is found that growth with a higher V/III ratio and a larger hole size resulted in the multiple formation of InN nanocolumns in one hole. By varying the hole density on the GaN template, we succeeded to change the density of InN nanocolumn by one order of magnitude from about 9/m2 to 100/m2. InN nanocolumn showed luminescence with peak energy of 0.74 eV by cathodoluminescence measurement. | |
| キーワード | （和） | InN / ナノコラム / 結晶成長 / MBE / / / / |
| （英） | InN / nanocolumn / crystal growth / MBE / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-111, pp. 19-24, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-111 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 |
| サブタイトル（和） | 配列制御InNナノコラム成長について |
| タイトル（英） | High quality InN crystal growh by RF-MBE |
| サブタイトル（英） | Growth of position-controlled InN nanocolumns |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | ナノコラム / nanocolumn |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶成長 / crystal growth |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒木 努 / Tsutomu Araki / アラキ ツトム |
| 第1著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 智広 / Tomohiro Yamaguchi / ヤマグチ トモヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 昌充 / Masamitsu Kaneko / カネコ マサミツ |
| 第3著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名西 やすし / Yasushi Nanishi / ナニシ ヤスシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 立命館大学/ソウル国立大学 (略称： 立命館大/ソウル国立大) Ritsumeikan University/Seoul National University (略称： Ritsumeikan Univ./Seoul National Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2009-132, CPM2009-106, LQE2009-111 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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