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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-19 14:20
第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究
白石賢二岩田潤一筑波大/JST)・小幡輝明筑波大)・押山 淳東大/JSTED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117
抄録 (和) In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接には4個の窒素原子が、第二近接には12 個のカチオン原子が存在する。特にIn原子は共有結合半径が大きく(1.44Å)、窒素原子(0.70Å) との差が非常に大きい。この結果として、第二近接であるIn原子間距離が相対的に小さくなり、In-In相互作用が極めて重要になる。本研究では第一原理計算によって、第2近接In-In相互作用の重要性を指摘し、これがInGaNにおける窒素原子空孔の特異な原子構造や、InNにおける小さなバンドギャップの起源となっていることを示す。 
(英) In-containing nitride semiconductors exhibit characteristic behavior which can be ascribed to the large difference in the covalent radius between In and N atoms. We consider atomic and electronic structures of N mono-vacancies (VN) in InGaN in detail by the first principles calculations. We find that the second nearest neighbor In-In interactions, which are not important in conventional semiconductors such as Si and InAs, are as crucial the nearest neighbor In-N interaction in In-related nitride semiconductors. Moreover, we clearly show that the strong second nearest neighbor In-In interactions in InN are the physical origin of the unusually narrow band gap of InN
キーワード (和) In系窒化物半導体 / 共有結合性 / イオン性 / 第一原理計算 / 理論 / バンド構造 / /  
(英) In-containing nitride semiconductors, / Covalency / Iconicity / First-Principles Calculations / Theory / Band structures, / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-117, pp. 47-50, 2009年11月.
資料番号 LQE2009-117 
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2009-11-19 - 2009-11-20 
開催地(和) 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 
開催地(英) Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) 
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2009-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Theoretical Studies on the Characteristic Electronic Structures of In-Containint Nitride Seimiconductors Based of the First Principles Calculations 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) In系窒化物半導体 / In-containing nitride semiconductors,  
キーワード(2)(和/英) 共有結合性 / Covalency  
キーワード(3)(和/英) イオン性 / Iconicity  
キーワード(4)(和/英) 第一原理計算 / First-Principles Calculations  
キーワード(5)(和/英) 理論 / Theory  
キーワード(6)(和/英) バンド構造 / Band structures,  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ
第1著者 所属(和/英) 筑波大学/CREST-JST (略称: 筑波大/JST)
University of Tsukuba/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称: Univ. of Tsukuba/JST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 潤一 / Jun-ichi Iwata / イワタ ジュンイチ
第2著者 所属(和/英) 筑波大学/CREST-JST (略称: 筑波大/JST)
University of Tsukuba/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称: Univ. of Tsukuba/JST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小幡 輝明 / Teruaki Obata / オバタ テルアキ
第3著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 押山 淳 / Atsushi Oshiyama / オシヤマ アツシ
第4著者 所属(和/英) 東京大学/CREST-JST (略称: 東大/JST)
The University. of Tokyo/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称: Univ. of Tokyo/JST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-11-19 14:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2009-138, CPM2009-112, LQE2009-117 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) 
ページ範囲 pp.47-50 
ページ数
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 


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