講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-11-19 14:20
第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 ○白石賢二・岩田潤一(筑波大/JST)・小幡輝明(筑波大)・押山 淳(東大/JST) ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 |
抄録 |
(和) |
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接には4個の窒素原子が、第二近接には12 個のカチオン原子が存在する。特にIn原子は共有結合半径が大きく(1.44Å)、窒素原子(0.70Å) との差が非常に大きい。この結果として、第二近接であるIn原子間距離が相対的に小さくなり、In-In相互作用が極めて重要になる。本研究では第一原理計算によって、第2近接In-In相互作用の重要性を指摘し、これがInGaNにおける窒素原子空孔の特異な原子構造や、InNにおける小さなバンドギャップの起源となっていることを示す。 |
(英) |
In-containing nitride semiconductors exhibit characteristic behavior which can be ascribed to the large difference in the covalent radius between In and N atoms. We consider atomic and electronic structures of N mono-vacancies (VN) in InGaN in detail by the first principles calculations. We find that the second nearest neighbor In-In interactions, which are not important in conventional semiconductors such as Si and InAs, are as crucial the nearest neighbor In-N interaction in In-related nitride semiconductors. Moreover, we clearly show that the strong second nearest neighbor In-In interactions in InN are the physical origin of the unusually narrow band gap of InN |
キーワード |
(和) |
In系窒化物半導体 / 共有結合性 / イオン性 / 第一原理計算 / 理論 / バンド構造 / / |
(英) |
In-containing nitride semiconductors, / Covalency / Iconicity / First-Principles Calculations / Theory / Band structures, / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-117, pp. 47-50, 2009年11月. |
資料番号 |
LQE2009-117 |
発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 |
研究会情報 |
研究会 |
ED LQE CPM |
開催期間 |
2009-11-19 - 2009-11-20 |
開催地(和) |
徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) |
開催地(英) |
Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
テーマ(和) |
窒化物及び混晶半導体デバイス |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2009-11-ED-LQE-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Theoretical Studies on the Characteristic Electronic Structures of In-Containint Nitride Seimiconductors Based of the First Principles Calculations |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
In系窒化物半導体 / In-containing nitride semiconductors, |
キーワード(2)(和/英) |
共有結合性 / Covalency |
キーワード(3)(和/英) |
イオン性 / Iconicity |
キーワード(4)(和/英) |
第一原理計算 / First-Principles Calculations |
キーワード(5)(和/英) |
理論 / Theory |
キーワード(6)(和/英) |
バンド構造 / Band structures, |
キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
第1著者 所属(和/英) |
筑波大学/CREST-JST (略称: 筑波大/JST)
University of Tsukuba/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称: Univ. of Tsukuba/JST) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岩田 潤一 / Jun-ichi Iwata / イワタ ジュンイチ |
第2著者 所属(和/英) |
筑波大学/CREST-JST (略称: 筑波大/JST)
University of Tsukuba/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称: Univ. of Tsukuba/JST) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小幡 輝明 / Teruaki Obata / オバタ テルアキ |
第3著者 所属(和/英) |
筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
押山 淳 / Atsushi Oshiyama / オシヤマ アツシ |
第4著者 所属(和/英) |
東京大学/CREST-JST (略称: 東大/JST)
The University. of Tokyo/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称: Univ. of Tokyo/JST) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2009-11-19 14:20:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
ED2009-138, CPM2009-112, LQE2009-117 |
巻番号(vol) |
vol.109 |
号番号(no) |
no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
ページ範囲 |
pp.47-50 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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