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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-13 13:00
[チュートリアル招待講演]薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ~ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ~
大村泰久関西大SDM2009-146 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-146
抄録 (和) 本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3次元構造微細SOI MOSFET技術の位置づけと見通しを技術データと共に解析モデルから分かることを整理する。また、今後の微細MOSFETのモデリングについて、最近の解析例を紹介する。物理学的に厳密な議論を行うには、量子効果を第一原理的に導入せざるをえない。しかし回路設計上必要な情報を抽出する目的では、第一原理的な手法が常に必要なわけではなく、キャリア移動度のような重要な特性パラメータのモデル構築を基に、従来の半古典的解析手法の拡張でかなりの特性解析を実行可能であることなどを議論する。 
(英) This report summarizes the present stage of SOI MOSFET technology and the aim and prospect of 3-D scaled MOSFET technology from practical data and analytical models developed in the last 50-year-history of SOI technology. When current device parameters are requested for the circuit design, recent sophisticated mathematical techniques (such as the 1st principle calculations) are not always solicited, but physical modeling of some important physical parameters, such as mobility and lifetimes, will promise sufficiently reliable predictions of circuit performance on the basis of the conventional semi-classical techniques.
キーワード (和) SOI MOSFET / モデリング / 回路解析 / 物理パラメータ / 微細化 / 量子効果 / 歪効果 / 移動度  
(英) SOI MOSFET / modeling / circuit simulations / physical parameters / scaling / quantum effects / strained effects / mobility  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-146, pp. 61-66, 2009年11月.
資料番号 SDM2009-146 
発行日 2009-11-05 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2009-146 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-146

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-11-12 - 2009-11-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し 
サブタイトル(和) 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 
タイトル(英) Possible Performance of SOI Devices, their Potentiality and Prospects 
サブタイトル(英) Past Constraint and Current Issues 
キーワード(1)(和/英) SOI MOSFET / SOI MOSFET  
キーワード(2)(和/英) モデリング / modeling  
キーワード(3)(和/英) 回路解析 / circuit simulations  
キーワード(4)(和/英) 物理パラメータ / physical parameters  
キーワード(5)(和/英) 微細化 / scaling  
キーワード(6)(和/英) 量子効果 / quantum effects  
キーワード(7)(和/英) 歪効果 / strained effects  
キーワード(8)(和/英) 移動度 / mobility  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大村 泰久 / Yasuhisa Omura / オオムラ ヤスヒサ
第1著者 所属(和/英) 関西大学 (略称: 関西大)
Kansai University (略称: Kansai Univ.)
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講演者
発表日時 2009-11-13 13:00:00 
発表時間 50 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-146 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.278 
ページ範囲 pp.61-66 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2009-11-05 


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