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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-13 13:00 ［チュートリアル招待講演］薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ～ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ～ ○大村泰久（関西大）  SDM2009-146 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-146 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3次元構造微細SOI MOSFET技術の位置づけと見通しを技術データと共に解析モデルから分かることを整理する。また、今後の微細MOSFETのモデリングについて、最近の解析例を紹介する。物理学的に厳密な議論を行うには、量子効果を第一原理的に導入せざるをえない。しかし回路設計上必要な情報を抽出する目的では、第一原理的な手法が常に必要なわけではなく、キャリア移動度のような重要な特性パラメータのモデル構築を基に、従来の半古典的解析手法の拡張でかなりの特性解析を実行可能であることなどを議論する。 |
| （英） | This report summarizes the present stage of SOI MOSFET technology and the aim and prospect of 3-D scaled MOSFET technology from practical data and analytical models developed in the last 50-year-history of SOI technology. When current device parameters are requested for the circuit design, recent sophisticated mathematical techniques (such as the 1st principle calculations) are not always solicited, but physical modeling of some important physical parameters, such as mobility and lifetimes, will promise sufficiently reliable predictions of circuit performance on the basis of the conventional semi-classical techniques. | |
| キーワード | （和） | SOI MOSFET / モデリング / 回路解析 / 物理パラメータ / 微細化 / 量子効果 / 歪効果 / 移動度 |
| （英） | SOI MOSFET / modeling / circuit simulations / physical parameters / scaling / quantum effects / strained effects / mobility | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-146, pp. 61-66, 2009年11月. | |
| 資料番号 | SDM2009-146 | |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-146 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-146 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-11-12 - 2009-11-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し |
| サブタイトル（和） | 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 |
| タイトル（英） | Possible Performance of SOI Devices, their Potentiality and Prospects |
| サブタイトル（英） | Past Constraint and Current Issues |
| キーワード(1)（和/英） | SOI MOSFET / SOI MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | モデリング / modeling |
| キーワード(3)（和/英） | 回路解析 / circuit simulations |
| キーワード(4)（和/英） | 物理パラメータ / physical parameters |
| キーワード(5)（和/英） | 微細化 / scaling |
| キーワード(6)（和/英） | 量子効果 / quantum effects |
| キーワード(7)（和/英） | 歪効果 / strained effects |
| キーワード(8)（和/英） | 移動度 / mobility |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大村 泰久 / Yasuhisa Omura / オオムラ ヤスヒサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-13 13:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-146 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.278 |
| ページ範囲 | pp.61-66 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) |
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