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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-13 15:15 ［招待講演］交換結合膜の薄膜化による磁気ヘッド再生ギャップ長の低減 ○三俣千春（日立金属）・佐久間昭正・深道和明（東北大）  MR2009-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2009-33 |
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| 抄録 | （和） | 磁気ヘッドの再生素子に用いられる反強磁性膜について，再生ギャップ長を低減させるための薄膜化を目的とし，反強磁性(AFM) と強磁性(FM) 積層膜における交換バイアスについてハイゼンベルグ模型を用いた検討を行った．交換バイアスのAFM 膜厚依存性をLandau-Lifshitz-Gilbert 方程式を解いて求めた．AFM 層の合金構造を不規則γ 相，L12 型規則相およびL10 型規則相とするとそれぞれのスピン構造はトリプルQ(3Q) 構造，T1 構造およびAF-I 構造となった．交換バイアスは積層膜界面における磁壁に影響され，磁壁幅で規定されるAFM 層の臨界膜厚 はスピン構造によって変化する結果となった．それぞれのスピン構造に対する臨界膜厚d3Qc ，dT1c およびdAF−Ic の間には√3d3Qc =√2dT1c = dAF−Ic の関係があることが明らかになった． |
| （英） | For the material design of thin exchange bias layer to reduce the read gap length, the exchange bias between the ferromagnetic(FM) and antiferromagnetic(AFM) bilayer was investigated within the framework of the classical Heisenberg model. The dependence of the exchange bias on the AFM layer thickness was also calculated by using the Landau-Lifshitz-Gilbert equation. The triple-Q(3Q), T1 and AF-I spin structures are obtained in the disordered γ-phase, ordered L12- and L10-type lattices, respectively. The exchange bias is caused by the formation of the interfacial domain wall in the AFM layer, and the critical thickness dc of AFM layer is dominated by the varied spin structures. Consequently, the relation of the critical thickness can be represented as √3d3Qc = √2dT1c = dAF−Ic . |
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| キーワード | （和） | 交換結合バイアス / 反強磁性 / 臨界膜厚 / 磁壁 / スピン構造 / / / |
| （英） | exchange bias / antiferromagnetic / critical thickness / magnetic domain wall / spin structure / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2009-11-06 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2009-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2009-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-MMS MRIS |
| 開催期間 | 2009-11-13 - 2009-11-13 |
| 開催地（和） | 早稲田大学 |
| 開催地（英） | Waseda Univ. |
| テーマ（和） | ハードディスクドライブおよび一般 |
| テーマ（英） | HDD, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2009-11-MMS-MR |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 交換結合膜の薄膜化による磁気ヘッド再生ギャップ長の低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of Read Gap Length by Thin Exchange Bias Layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 交換結合バイアス / exchange bias |
| キーワード(2)（和/英） | 反強磁性 / antiferromagnetic |
| キーワード(3)（和/英） | 臨界膜厚 / critical thickness |
| キーワード(4)（和/英） | 磁壁 / magnetic domain wall |
| キーワード(5)（和/英） | スピン構造 / spin structure |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三俣 千春 / Chiharu Mitsumata / ミツマタ チハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立金属株式会社 (略称： 日立金属) Hitachi Metals, Ltd. (略称： Hitachi Metals) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐久間 昭正 / Akimasa Sakuma / サクマ アキマサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku Univ. (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深道 和明 / Kazuaki Fukamichi / フカミチ カズアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku Univ. (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-13 15:15:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2009-33 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.282 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-06 (MR) |
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