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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-13 15:25 High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション ○鈴木 研・伊藤雄太・井上達也・三浦英生（東北大）・吉川英樹・小林啓介（物質・材料研究機構）・寒川誠二（東北大）  SDM2009-149 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-149 |
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| 抄録 | （和） | 原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し，High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの影響を量子分子動力学法を用いて検討した．その結果，界面近傍の健全性が絶縁膜組成と膜中の残留ひずみに依存して著しく変化することを明らかにした.特に，ALD法で堆積した絶縁膜中の酸素濃度と有機ガスソースから取り込まれる炭素濃度に依存して絶縁膜特性が著しく低下するとともに、格子ひずみ不整合により金属電極の酸化と炭化が加速されることを解析と光電子分光分析を用いて明らかにした． |
| （英） | Control of the interfacial crystallographic structure between a dielectric film and a gate electrode is one of the most critical issues for assuring the high performance and the reliability of a stacked MOS structure using high-k dielectric thin films. In this study, quantum chemical molecular dynamics simulations were applied to explicate the mechanism of degradation of interfacial integrity of the gate stack systems which is caused by point defects. We found that point defects such as oxygen and carbon interstitials deteriorate the electronic quality of a hafnium dioxide film and the W/HfO2 interface structure. | |
| キーワード | （和） | High-k/Metal-gate界面 / 健全性 / ひずみ / 点欠陥 / 量子分子動力学法 / / / |
| （英） | W/HfO2 interface / Reliability / Strain / Point defect / Quantum chemical molecular dynamics method / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-149, pp. 79-84, 2009年11月. | |
| 資料番号 | SDM2009-149 | |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-149 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-149 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-11-12 - 2009-11-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-11-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomic Scale Analysis of the Degradation Mechanism of the Integrity High-k/Metal-gate Interface Caused by the Interaction between Point-Defects and Residual Strain around the Interface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | High-k/Metal-gate界面 / W/HfO2 interface |
| キーワード(2)（和/英） | 健全性 / Reliability |
| キーワード(3)（和/英） | ひずみ / Strain |
| キーワード(4)（和/英） | 点欠陥 / Point defect |
| キーワード(5)（和/英） | 量子分子動力学法 / Quantum chemical molecular dynamics method |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 研 / Ken Suzuki / スズキ ケン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 雄太 / Yuta Itoh / イトウ ユウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 達也 / Tatsuya Inoue / イノウエ タツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 英生 / Hideo Miura / ミウラ ヒデオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 英樹 / Hideki Yoshikawa / ヨシカワ ヒデキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： National Inst. for Materials Science) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 啓介 / Keisuke Kobayashi / コバヤシ ケイスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： National Inst. for Materials Science) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寒川 誠二 / Seiji Samukawa / サムカワ セイジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-13 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-149 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.278 |
| ページ範囲 | pp.79-84 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) |
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