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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-13 15:25
High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション
鈴木 研伊藤雄太井上達也三浦英生東北大)・吉川英樹小林啓介物質・材料研究機構)・寒川誠二東北大SDM2009-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-149
抄録 (和) 原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し,High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの影響を量子分子動力学法を用いて検討した.その結果,界面近傍の健全性が絶縁膜組成と膜中の残留ひずみに依存して著しく変化することを明らかにした.特に,ALD法で堆積した絶縁膜中の酸素濃度と有機ガスソースから取り込まれる炭素濃度に依存して絶縁膜特性が著しく低下するとともに、格子ひずみ不整合により金属電極の酸化と炭化が加速されることを解析と光電子分光分析を用いて明らかにした. 
(英) Control of the interfacial crystallographic structure between a dielectric film and a gate electrode is one of the most critical issues for assuring the high performance and the reliability of a stacked MOS structure using high-k dielectric thin films. In this study, quantum chemical molecular dynamics simulations were applied to explicate the mechanism of degradation of interfacial integrity of the gate stack systems which is caused by point defects. We found that point defects such as oxygen and carbon interstitials deteriorate the electronic quality of a hafnium dioxide film and the W/HfO2 interface structure.
キーワード (和) High-k/Metal-gate界面 / 健全性 / ひずみ / 点欠陥 / 量子分子動力学法 / / /  
(英) W/HfO2 interface / Reliability / Strain / Point defect / Quantum chemical molecular dynamics method / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-149, pp. 79-84, 2009年11月.
資料番号 SDM2009-149 
発行日 2009-11-05 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2009-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-149

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-11-12 - 2009-11-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-11-SDM 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Atomic Scale Analysis of the Degradation Mechanism of the Integrity High-k/Metal-gate Interface Caused by the Interaction between Point-Defects and Residual Strain around the Interface 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) High-k/Metal-gate界面 / W/HfO2 interface  
キーワード(2)(和/英) 健全性 / Reliability  
キーワード(3)(和/英) ひずみ / Strain  
キーワード(4)(和/英) 点欠陥 / Point defect  
キーワード(5)(和/英) 量子分子動力学法 / Quantum chemical molecular dynamics method  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 研 / Ken Suzuki / スズキ ケン
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 雄太 / Yuta Itoh / イトウ ユウタ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 達也 / Tatsuya Inoue / イノウエ タツヤ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 英生 / Hideo Miura / ミウラ ヒデオ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉川 英樹 / Hideki Yoshikawa / ヨシカワ ヒデキ
第5著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: National Inst. for Materials Science)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 啓介 / Keisuke Kobayashi / コバヤシ ケイスケ
第6著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: National Inst. for Materials Science)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 寒川 誠二 / Seiji Samukawa / サムカワ セイジ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2009-11-13 15:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-149 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.278 
ページ範囲 pp.79-84 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2009-11-05 


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