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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-13 15:50
構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用
川端研二市川尚志渡辺浩志東芝SDM2009-150 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-150
抄録 (和) 昨今の微細化の進展により、デバイスサイズはナノオーダーに突入しつつあり、これまで見過ごされてきた微細化極限物性的な問題が重要となる。SiO2に囲まれたSiクラスタの特性は、バルクの性質から大きく外れ、平面的なSi/SiO2界面のそれとも違うであろう。このような非バルク特性を考慮するには、デバイスを模した数nm規模の構造を、原子レベルで解析する必要がある。今回、分子動力学とタイトバインディング法を用いることにより、SiO2に包まれたSiクラスタの電子状態密度がバルクSiとは異なるという結果を得た。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) タイトバインディング法 / 分子動力学 / シリコンドット / フローティングゲート / 界面状態 / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-150, pp. 85-90, 2009年11月.
資料番号 SDM2009-150 
発行日 2009-11-05 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-150 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-150

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-11-12 - 2009-11-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Trial application of tight-binding method to Si-cluster surrounded by SiO2 in optimized atomistic network 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) タイトバインディング法 /  
キーワード(2)(和/英) 分子動力学 /  
キーワード(3)(和/英) シリコンドット /  
キーワード(4)(和/英) フローティングゲート /  
キーワード(5)(和/英) 界面状態 /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川端 研二 / Kenji Kawabata / カワバタ ケンジ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 市川 尚志 / Takashi Ichikawa / イチカワ タカシ
第2著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 浩志 / Hiroshi Watanabe / ワタナベ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
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講演者
発表日時 2009-11-13 15:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-150 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.278 
ページ範囲 pp.85-90 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2009-11-05 


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