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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-13 10:00 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響 ○鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・谷口研二（阪大）  SDM2009-142 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-142 |
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| 抄録 | （和） | ナノスケールSi-MOSFET 内部における非平衡光学フォノンの発生とそれが電気特性に与える影響を数値シミュレーションを用いて解析した．準弾道伝導領域で動作するチャネル長10 nm 級の微細デバイスでは，ソースから注入された電子は印加電圧から得た運動エネルギーの大半をドレイン内部の局所域(∼ 数10 nm) にて光学フォノンを放出することで失う．光学フォノンは群速度が遅いため，熱が周囲に拡散するためにはフォノン-フォノン散乱による音響フォノンへの変換を待たなければならず，その過程がボトルネックとなった場合，非平衡光学フォノン分布，いわゆるホットフォノンが発生する．ホットフォノンの温度は音響フォノン温度よりも100 K 以上高温となるため信頼性への悪影響が懸念されるが，電流駆動力への影響は比較的軽微である． |
| （英） | Hot phonon generation and its impact on the current conduction in nanoscale Si-MOSFETs are investigated using numerical simulations. In the quasi-ballistic transport regime, injected electrons from the source lose their energies by emitting optical phonons in the drain. Since the group velocity of the optical phonons are very slow, the heat conduction can occur after the phonon-phonon scattering changes the optical phonons to the acoustic phonons, and if this process is too slow, then the hot phonons are generated. We demonstrate that the hot phonon temperature is larger than that of acoustic phonons by > 100 K, which would become a reliability concern, while its impact on the current conduction is not significant. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / 自己発熱 / ナノ / ホットフォノン / モンテカルロシミュレーション / 熱伝導方程式 / / |
| （英） | MOSFET / self-heating / nano / hot phonon / Monte Carlo simulation / heat conduction equation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-142, pp. 39-44, 2009年11月. | |
| 資料番号 | SDM2009-142 | |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-142 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-142 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-11-12 - 2009-11-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Self-Heating Effect on the Electrical Characteristics of Nanoscale Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 自己発熱 / self-heating |
| キーワード(3)（和/英） | ナノ / nano |
| キーワード(4)（和/英） | ホットフォノン / hot phonon |
| キーワード(5)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulation |
| キーワード(6)（和/英） | 熱伝導方程式 / heat conduction equation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学/独立行政法人科学技術振興機構CREST (略称： 阪大/JST) Osaka University/JST (略称： Osaka Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学/独立行政法人科学技術振興機構CREST (略称： 阪大/JST) Osaka University/JST (略称： Osaka Univ./JST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi / タニグチ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-13 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-142 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.278 |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) |
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