電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-13 11:15
微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション
来栖貴史和田 真松永範昭梶田明広谷本弘吉青木伸俊豊島義明柴田英毅東芝SDM2009-145 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-145
抄録 (和) LSIの金属配線設計において、サイズ縮小に伴って配線の抵抗率が上昇するという“抵抗率のサイズ効果”が問題となっている.次世代デバイスにおける配線遅延等の性能評価を行う上で、配線抵抗を精度よく見積もることは必要不可欠であるが、そのためにはこのサイズ効果の高精度な予測が必須となる.本論文では、微細金属配線における抵抗率のサイズ効果を精度よく予測するための、モンテカルロ・シミュレーション方法を提案する.本手法は比較的少数のパラメータで微細Cu配線におけるサイズ効果の実測をよく再現すること、また、微細金属配線の抵抗率を精度よく予測するためには、形状効果が重要であることを示す. 
(英) Recently, the size effect on resistivity in very narrow and thin metallic wires is a crucial problem on development of small-scaled metallic interconnects. In this paper, we present a compact Monte Carlo method to accurately evaluate the size effect on resistivity in very narrow and thin metallic interconnects. It is shown that our method well reproduces the size effect in very narrow and thin copper wires, and a consideration of the geometric effect on resistivity is significant to accurately estimate the size effect.
キーワード (和) モンテカルロ法 / 抵抗率のサイズ効果 / 界面散乱 / 粒界散乱 / 形状効果 / / /  
(英) Monte Carlo method / size effect on resistivity / surface scattering / grain boundary scattering / geometric effect / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-145, pp. 55-60, 2009年11月.
資料番号 SDM2009-145 
発行日 2009-11-05 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-145 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-145

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-11-12 - 2009-11-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Novel Monte Carlo Simulation to Evaluate the Size Effect of Resistivity for Scaled Metallic Interconnects 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) モンテカルロ法 / Monte Carlo method  
キーワード(2)(和/英) 抵抗率のサイズ効果 / size effect on resistivity  
キーワード(3)(和/英) 界面散乱 / surface scattering  
キーワード(4)(和/英) 粒界散乱 / grain boundary scattering  
キーワード(5)(和/英) 形状効果 / geometric effect  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 来栖 貴史 / Takashi Kurusu / クルス タカシ
第1著者 所属(和/英) 東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター (略称: 東芝)
Device Process Development Center, Corporate Research & Develocpment Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 真 / Makoto Wada / ワダ マコト
第2著者 所属(和/英) 東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター (略称: 東芝)
Device Process Development Center, Corporate Research & Develocpment Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松永 範昭 / Noriaki Matsunaga / マツナガ ノリアキ
第3著者 所属(和/英) 東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター (略称: 東芝)
Device Process Development Center, Corporate Research & Develocpment Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶田 明広 / Akihiro Kajita / カジタ アキヒロ
第4著者 所属(和/英) 東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター (略称: 東芝)
Device Process Development Center, Corporate Research & Develocpment Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷本 弘吉 / Hiroyoshi Tanimoto / タニモト ヒロヨシ
第5著者 所属(和/英) 東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター (略称: 東芝)
Device Process Development Center, Corporate Research & Develocpment Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 伸俊 / Nobutoshi Aoki / アオキ ノブトシ
第6著者 所属(和/英) 東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター (略称: 東芝)
Device Process Development Center, Corporate Research & Develocpment Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 豊島 義明 / Yoshiaki Toyoshima / トヨシマ ヨシアキ
第7著者 所属(和/英) 東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター (略称: 東芝)
Device Process Development Center, Corporate Research & Develocpment Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴田 英毅 / Hideki Shibata / シバタ ヒデキ
第8著者 所属(和/英) 東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター (略称: 東芝)
Device Process Development Center, Corporate Research & Develocpment Center, Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2009-11-13 11:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-145 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.278 
ページ範囲 pp.55-60 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2009-11-05 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会