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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-13 10:50
フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-144
抄録 (和) 歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSiGeチャネル条件について調べた。その結果、短チャネルデバイスのオン電流に対しては、歪みSiGeチャネルのGe組成比(xGe)が高ければ高いほど良いことが分かった。xGeが高すぎると歪みを維持可能なチャネル厚さが薄くなり、散乱増加によって移動度が減少するが、短チャネルデバイスのオン電流増大に対しては、高xGe条件での高いチャネル注入速度がより重要になる。また、<110>チャネル方向1軸性圧縮歪みは歪みSiGeチャネルpMOSFETに対しても有効であり、更なるオン電流向上が期待できることが分かった。 
(英) Transport characteristics of strained-SiGe on Si channel pMOSFETs is analyzed in detail by full-band device simulation. To increase short-channel saturation current, higher Ge-content (xGe) SiGe-channel is desirable because of the higher channel injection velocity (vinj), although too high xGe reduces maximum available SiGe-channel thickness, thereby degrading the low field mobility. Additional uniaxial <110> compressive strain is very effective for improving SiGe-channel device performance, since it enhances vinj without decreasing density-of-states which largely affects channel injection carrier density in short channel devices.
キーワード (和) 歪み / SiGe / SiGeチャネル / フルバンド / モンテカルロ / キャリア輸送 / /  
(英) Strain / SiGe / SiGe-channel / full-band / Monte Carlo / carrier transport / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-144, pp. 49-53, 2009年11月.
資料番号 SDM2009-144 
発行日 2009-11-05 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2009-144 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-144

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-11-12 - 2009-11-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Carrier Transport Analysis of Strained SiGe/Si-pMOSFETs using Full-band Device Simulation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 歪み / Strain  
キーワード(2)(和/英) SiGe / SiGe  
キーワード(3)(和/英) SiGeチャネル / SiGe-channel  
キーワード(4)(和/英) フルバンド / full-band  
キーワード(5)(和/英) モンテカルロ / Monte Carlo  
キーワード(6)(和/英) キャリア輸送 / carrier transport  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹田 裕 / Hiroshi Takeda / タケダ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 河田 道人 / Michihito Kawada / カワダ ミチヒト
第2著者 所属(和/英) 株式会社NEC情報システムズ (略称: NEC情報システムズ)
NEC Informatec Systems (略称: NEC Informatec Systems)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ
第3著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 羽根 正巳 / Masami Hane / ハネ マサミ
第4著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NEC Electronics Corp.)
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講演者
発表日時 2009-11-13 10:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-144 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.278 
ページ範囲 pp.49-53 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2009-11-05 


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