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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-12 15:05
回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT"
三宅正尭舛岡弘基ウヴェ フェルドマン三浦道子広島大SDM2009-139 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-139
抄録 (和) 高耐圧デバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を用いた数百ボルトから数千ボルトクラスの電力変換回路の設計に利用できる,回路シミュレーション用IGBTモデル「HiSIM-IGBT」を開発した.ゲート,コレクタ,エミッタを外部端子,ベース(ドレイン)を内部節点とし,表面ポテンシャルに基づく高精度なMOSFETモデルHiSIMをMOSFET部に用い,ベース抵抗を新たにモデル化した.HiSIM-IGBTは,物理に基づき,IGBTの基本特性及びスイッチング特性を高精度に再現することができ,IGBTを用いた回路設計をより速く正確に行うことを可能とする. 
(英) HiSIM-IGBT, a compact IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) model for circuit simulation has been developed. The model can be applied to circuit designs with IGBTs for power conversion in the voltage range between several hundreds and thousands. It holds gate, collector and emitter terminals and an internal base (drain) node. To the FET part, surface-potential-based accurate MOSFET model ``HiSIM'' is applied, while a base resistance model is newly developed. HiSIM-IGBT can accurately reproduce fundamental characteristics and switching behaviors of IGBTs, which enables faster and more accurate circuit designs with IGBTs.
キーワード (和) IGBT / HiSIM / 高耐圧デバイス / コンパクトモデル / ベース抵抗 / 表面ポテンシャル / /  
(英) IGBT / HiSIM / power device / compact model / base resistance / surface potential / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-139, pp. 23-27, 2009年11月.
資料番号 SDM2009-139 
発行日 2009-11-05 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-11-12 - 2009-11-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) HiSIM-IGBT: A Compact IGBT Model for Circuit Simulation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) IGBT / IGBT  
キーワード(2)(和/英) HiSIM / HiSIM  
キーワード(3)(和/英) 高耐圧デバイス / power device  
キーワード(4)(和/英) コンパクトモデル / compact model  
キーワード(5)(和/英) ベース抵抗 / base resistance  
キーワード(6)(和/英) 表面ポテンシャル / surface potential  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三宅 正尭 / Masataka Miyake / ミヤケ マサタカ
第1著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 舛岡 弘基 / Hiroki Masuoka / マスオカ ヒロキ
第2著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) ウヴェ フェルドマン / Uwe Feldmann / ウヴェ フェルドマン
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 道子 / Mitiko Miura-Mattausch / ミウラ ミチコ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
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講演者
発表日時 2009-11-12 15:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-139 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.278 
ページ範囲 pp.23-27 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2009-11-05 


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