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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-12 15:55 CMOSバイオセンサー応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション ○宇野重康・中里和郎（名大）  SDM2009-141 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-141 |
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| 抄録 | （和） | CMOS バイオセンシングにおいて中心的役割を担うIon-sensitive Field-Effect Transistor (ISFET) のデバイスモデリング及びシミュレーションについて報告する。ISFET の基本原理、溶液及び半導体溶液界面のモデル化手法について述べる。シリコン窒化膜を用いたISFET のpH 感応性シミュレーションを一次元及び二次元のモデルにより行い、pH の増加に伴いフラットバンド電圧（従って閾値電圧）が増加することを再現する。また、ISFET によるDNA 検出実験を三次元モデルにより再現する。ナノワイヤをチャネルとする立体構造ISFET での計算も行い、円筒座標系による擬三次元シミュレーションにより電流電圧特性を計算する。 |
| （英） | Modeling and simulation of Ion-sensitive Field-Effect Transistor (ISFET) operation is presented. A brief explanation of ISFET operation principle, electrolyte model, and semiconductor/electrorlyte interface model is presented. One- and two-dimensional simulation of pH sensitivity of ISFET with Si3N4 ion-sensitive layer are carried out to show that flatband voltage (and hence threshold voltage) increases with increasing pH. Three-dimensional modeling of DNA detection using ISFET, as well as quasi-three-dimensional modeling of cylindrical nanowire ISFET, are also presented. | |
| キーワード | （和） | バイオセンサ / ISFET / モデリング / シミュレーション / / / / |
| （英） | Biosensing / ISFET / modeling / simulation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-141, pp. 33-37, 2009年11月. | |
| 資料番号 | SDM2009-141 | |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-141 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-141 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-11-12 - 2009-11-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | CMOSバイオセンサー応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Modeling and Simulation for CMOS Biosensor Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | バイオセンサ / Biosensing |
| キーワード(2)（和/英） | ISFET / ISFET |
| キーワード(3)（和/英） | モデリング / modeling |
| キーワード(4)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇野 重康 / Shigeyasu Uno / ウノ シゲヤス |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中里 和郎 / Kazuo Nakazato / ナカザト カズオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-12 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-141 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.278 |
| ページ範囲 | pp.33-37 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) |
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