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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-12 14:40
表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル
辻 博史阪大/JST)・鎌倉良成谷口研二阪大SDM2009-138 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-138
抄録 (和) 多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の新たなドレイン電流モデルを提案する.poly-Si TFTの緩やかなサブスレッショルド特性を再現するために,ゲート酸化膜/多結晶シリコン界面の界面準位の影響を考慮し,表面ポテンシャルを用いてモデリングを行った.また,実測値との比較から,提案モデルが弱反転領域から強反転領域(線形,飽和領域)までのドレイン電流特性を精度よく計算できることを示した. 
(英) A new surface-potential-based drain current model for polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-Si TFTs) is proposed. In the model, the influence of traps located at the gate-oxide/poly-Si interface is taken into account to reproduce the gradual increase of the drain current in the subthreshold region. Calculations using the model produce results that are in good agreement with measured current-voltage characteristics of poly-Si TFTs in all the regions of operation, including the subthreshold, linear, and saturation regions.
キーワード (和) 多結晶シリコン / 薄膜トランジスタ / 界面準位 / シミュレーション / / / /  
(英) polycrystalline silicon / thin-film transistor / interface state / simulation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-138, pp. 19-22, 2009年11月.
資料番号 SDM2009-138 
発行日 2009-11-05 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2009-138 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-138

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-11-12 - 2009-11-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Surface-Potential-Based Drain Current Model for Thin-Film Transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 多結晶シリコン / polycrystalline silicon  
キーワード(2)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin-film transistor  
キーワード(3)(和/英) 界面準位 / interface state  
キーワード(4)(和/英) シミュレーション / simulation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 辻 博史 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学/JST-CREST (略称: 阪大/JST)
Osaka University/JST-CREST (略称: Osaka Univ/JST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷口 研二 / Kenji Taniguchi / タニグチ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2009-11-12 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-138 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.278 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2009-11-05 


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