講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-10-30 15:15
自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面酸窒化シミュレーション ○坪井秀行・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明(東北大) SDM2009-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-133 |
抄録 |
(和) |
シリコン表面における酸窒化膜の形成メカニズムの解明とくにその初期過程におけるNO分子やO2分子とシリコン表面の相互作用の量子論に立脚したメカニズム解明は,半導体デバイスにおけるhigh-k膜形成プロセスにおける基礎的な知見として極めて有用である.本研究では当研究室で開発した自動化超高速化量子分子動力学法プログラムを駆使して,量子化学計算に立脚したシリコン清浄表面の酸化反応プロセスおよび酸窒化反応プロセスのダイナミクスを解析したのでその一端を報告する. |
(英) |
Using our newly developed automated system of ultra-accelerated quantum chemical molecular dynamics method, we have investigated the initial process for oxydation and oxy-nitridation reaction of silicon clean surface. In this report, we have analyzed the behavior of O2 molecules and NO molecule during the surface chemical reaction and the change of atomic charges and the binding energies. |
キーワード |
(和) |
シリコン表面 / 酸窒化膜 / NO分子 / O2分子 / シミュレーション / 自動化超高速化量子分子動力学法 / high-k膜 / |
(英) |
Silicon surface / Oxy-nitride film / NO molecule / O2 molecule / Simulation / Automated system / Ultra accelerated quantum chemical molecular dynamics method / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-133, pp. 75-76, 2009年10月. |
資料番号 |
SDM2009-133 |
発行日 |
2009-10-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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